Hem > Produkter > Integrerade kretsar (ICS) > Minne > MT41K512M8V90BWC1
RFQs/beställning (0)
Svenska
Svenska
3308849

MT41K512M8V90BWC1

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    MT41K512M8V90BWC1
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    IC DRAM 4G PARALLEL
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Ecad -modell
  • Skriv cykeltid - Word, Page
    -
  • Spänning - Tillförsel
    1.283 V ~ 1.45 V
  • Teknologi
    SDRAM - DDR3L
  • Serier
    -
  • Driftstemperatur
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Minnetyp
    Volatile
  • Minnesstorlek
    4Gb (512M x 8)
  • Minnesgränssnitt
    Parallel
  • Minnesformat
    DRAM
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaljerad beskrivning
    SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel
MT41K64M16TW-107 AUT:J

MT41K64M16TW-107 AUT:J

Beskrivning: IC DRAM 1G PARALLEL 933MHZ

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT41K64M16JT-15E:G

MT41K64M16JT-15E:G

Beskrivning: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT41K512M8V00HWC1-N001

MT41K512M8V00HWC1-N001

Beskrivning: IC DRAM 4G PARALLEL

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT41K512M8RH-125:E

MT41K512M8RH-125:E

Beskrivning: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT41K64M16TW-107 AIT:J

MT41K64M16TW-107 AIT:J

Beskrivning: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT41K64M16TW-107 AAT:J TR

MT41K64M16TW-107 AAT:J TR

Beskrivning: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT41K64M16TW-107 AAT:J

MT41K64M16TW-107 AAT:J

Beskrivning:

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT41K64M16JT-15E:G TR

MT41K64M16JT-15E:G TR

Beskrivning: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT41K512M8RH-125 V:E TR

MT41K512M8RH-125 V:E TR

Beskrivning: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT41K512M8V00HWC1

MT41K512M8V00HWC1

Beskrivning: IC DRAM 4G PARALLEL DIE

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT41K64M16TW-107 AUT:J TR

MT41K64M16TW-107 AUT:J TR

Beskrivning: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT41K512M8V00HWC1-N002

MT41K512M8V00HWC1-N002

Beskrivning: IC DRAM 4G PARALLEL

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT41K512M8RH-125 XIT:E TR

MT41K512M8RH-125 XIT:E TR

Beskrivning: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT41K64M16JT-125:G TR

MT41K64M16JT-125:G TR

Beskrivning: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT41K512M8V80AWC1

MT41K512M8V80AWC1

Beskrivning: IC DRAM 4G PARALLEL DIE

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT41K512M8RH-125:E TR

MT41K512M8RH-125:E TR

Beskrivning: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT41K64M16TW-107 AIT:J TR

MT41K64M16TW-107 AIT:J TR

Beskrivning: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT41K512M8RH-125 XIT:E

MT41K512M8RH-125 XIT:E

Beskrivning: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT41K64M16JT-125:G

MT41K64M16JT-125:G

Beskrivning: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT41K512M8THD-15E:D

MT41K512M8THD-15E:D

Beskrivning: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta