Hem > Produkter > Integrerade kretsar (ICS) > Minne > MT38W2011A90YZQXZI.X68
RFQs/beställning (0)
Svenska
Svenska
4595410

MT38W2011A90YZQXZI.X68

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
1518+
$2.735
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    MT38W2011A90YZQXZI.X68
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    PARALLEL/PSRAM 80M
  • Ledningsfri status / RoHS-status
  • Ecad -modell
  • Serier
    *
  • detaljerad beskrivning
    Memory IC
MT38Q2071A10CKKXAA.YHH TR

MT38Q2071A10CKKXAA.YHH TR

Beskrivning: PARALLEL/MOBILE DDR 576M

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT38M4041A3034EZZI.XK6 TR

MT38M4041A3034EZZI.XK6 TR

Beskrivning: IC FLASH RAM 256M PARAL 56VFBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT38W2011A90YZQXZI.X68 TR

MT38W2011A90YZQXZI.X68 TR

Beskrivning: MCP 5MX16 PLASTIC VFBGA 1.8V

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT3B3024

MT3B3024

Beskrivning: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 24V

tillverkare: Agastat Relays / TE Connectivity
I lager
MT38G598MUFM-001

MT38G598MUFM-001

Beskrivning: ACCY MOUNT BMM 3/8 58U ANTENNA

tillverkare: Laird Technologies - Antennas
I lager
MT38M4041A3034EZZI.XK6

MT38M4041A3034EZZI.XK6

Beskrivning: IC FLASH RAM 256M PARALLEL

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT3S113P(TE12L,F)

MT3S113P(TE12L,F)

Beskrivning: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

tillverkare: Toshiba Semiconductor and Storage
I lager
MT38M5041A3034EZZI.XR6 TR

MT38M5041A3034EZZI.XR6 TR

Beskrivning: IC FLASH RAM 512M PARAL 56VFBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT3S111P(TE12L,F)

MT3S111P(TE12L,F)

Beskrivning: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

tillverkare: Toshiba Semiconductor and Storage
I lager
MT3B6115

MT3B6115

Beskrivning: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 115V

tillverkare: Agastat Relays / TE Connectivity
I lager
MT38M5071A3063RZZI.YE8

MT38M5071A3063RZZI.YE8

Beskrivning: IC FLASH RAM 512M PARALLEL

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT38M5041A3034EZZI.XR6

MT38M5041A3034EZZI.XR6

Beskrivning: IC FLASH RAM 512M PARALLEL

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT3S111(TE85L,F)

MT3S111(TE85L,F)

Beskrivning: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

tillverkare: Toshiba Semiconductor and Storage
I lager
MT38W201DAA033JZZI.X68

MT38W201DAA033JZZI.X68

Beskrivning: MCP 5MX16 PLASTIC 2.0V IND

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT38M5071A3063RZZI.YE8 TR

MT38M5071A3063RZZI.YE8 TR

Beskrivning: IC FLASH RAM 512M PARALLEL

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT3S113(TE85L,F)

MT3S113(TE85L,F)

Beskrivning: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

tillverkare: Toshiba Semiconductor and Storage
I lager
MT38W1011A90YZQXZI.XB8

MT38W1011A90YZQXZI.XB8

Beskrivning: PARALLEL/PSRAM 48M

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT38W1011A90YZQXZI.XB8 TR

MT38W1011A90YZQXZI.XB8 TR

Beskrivning: MCP X16 PLASTIC VFBGA 1.8V WIREL

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT3B30C4

MT3B30C4

Beskrivning: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 24V

tillverkare: Agastat Relays / TE Connectivity
I lager
MT38W201DAA033JZZI.X68 TR

MT38W201DAA033JZZI.X68 TR

Beskrivning: MCP 5MX16 PLASTIC 2.0V IND TEMP

tillverkare: Micron Technology
I lager

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta