Hem > Produkter > Integrerade kretsar (ICS) > Minne > MT29E4T08CTHBBM5-3ES:B TR
RFQs/beställning (0)
Svenska
Svenska
2524744

MT29E4T08CTHBBM5-3ES:B TR

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
1000+
$248.952
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    MT29E4T08CTHBBM5-3ES:B TR
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Ecad -modell
  • Skriv cykeltid - Word, Page
    -
  • Spänning - Tillförsel
    2.5 V ~ 3.6 V
  • Teknologi
    FLASH - NAND
  • Serier
    -
  • Förpackning
    Tape & Reel (TR)
  • Andra namn
    MT29E4T08CTHBBM5-3ES:B TR-ND
    MT29E4T08CTHBBM5-3ES:BTR
  • Driftstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Minnetyp
    Non-Volatile
  • Minnesstorlek
    4Tb (512G x 8)
  • Minnesgränssnitt
    Parallel
  • Minnesformat
    FLASH
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaljerad beskrivning
    FLASH - NAND Memory IC 4Tb (512G x 8) Parallel 333MHz
  • Klockfrekvens
    333MHz
MT29E384G08EBHBBJ4-3:B TR

MT29E384G08EBHBBJ4-3:B TR

Beskrivning: IC FLASH 384G PARALLEL 333MHZ

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT29E512G08CKCCBH7-6:C TR

MT29E512G08CKCCBH7-6:C TR

Beskrivning: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT29E512G08CEHBBJ4-3:B TR

MT29E512G08CEHBBJ4-3:B TR

Beskrivning: IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT29E384G08EBHBBJ4-3ES:B TR

MT29E384G08EBHBBJ4-3ES:B TR

Beskrivning: IC FLASH 384G PARALLEL 333MHZ

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT29E512G08CEHBBJ4-3:B

MT29E512G08CEHBBJ4-3:B

Beskrivning: IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT29E512G08CKCCBH7-6:C

MT29E512G08CKCCBH7-6:C

Beskrivning: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT29E4T08CTHBBM5-3:B

MT29E4T08CTHBBM5-3:B

Beskrivning: IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B

MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B

Beskrivning: IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT29E4T08CTHBBM5-3:B TR

MT29E4T08CTHBBM5-3:B TR

Beskrivning: IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR

MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR

Beskrivning: IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR

MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR

Beskrivning: IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT29E3T08EQHBBG2-3ES:B

MT29E3T08EQHBBG2-3ES:B

Beskrivning: IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT29E3T08EUHBBM4-3:B

MT29E3T08EUHBBM4-3:B

Beskrivning: IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT29E3T08EQHBBG2-3:B

MT29E3T08EQHBBG2-3:B

Beskrivning: IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT29E4T08EYHBBG9-3:B

MT29E4T08EYHBBG9-3:B

Beskrivning: IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT29E3T08EUHBBM4-3:B TR

MT29E3T08EUHBBM4-3:B TR

Beskrivning: IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT29E512G08CKCBBH7-6:B TR

MT29E512G08CKCBBH7-6:B TR

Beskrivning: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT29E384G08EBHBBJ4-3:B

MT29E384G08EBHBBJ4-3:B

Beskrivning: IC FLASH 384G PARALLEL 333MHZ

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR

MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR

Beskrivning: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT29E512G08CMCCBH7-6:C

MT29E512G08CMCCBH7-6:C

Beskrivning: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

tillverkare: Micron Technology
I lager

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta