Hem > Produkter > Integrerade kretsar (ICS) > Minne > EDB4432BBPA-1D-F-D
RFQs/beställning (0)
Svenska
Svenska
1480001EDB4432BBPA-1D-F-D bildMicron Technology

EDB4432BBPA-1D-F-D

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
1680+
$9.212
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    EDB4432BBPA-1D-F-D
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    IC DRAM 4G PARALLEL 168FBGA
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Skriv cykeltid - Word, Page
    -
  • Spänning - Tillförsel
    1.14 V ~ 1.95 V
  • Teknologi
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • Leverantörs Device Package
    168-FBGA (12x12)
  • Serier
    -
  • Förpackning
    Bulk
  • Förpackning / Fodral
    168-WFBGA
  • Driftstemperatur
    -30°C ~ 85°C (TC)
  • Monteringstyp
    Surface Mount
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Minnetyp
    Volatile
  • Minnesstorlek
    4Gb (128M x 32)
  • Minnesgränssnitt
    Parallel
  • Minnesformat
    DRAM
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaljerad beskrivning
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 4Gb (128M x 32) Parallel 533MHz 168-FBGA (12x12)
  • Klockfrekvens
    533MHz
EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D

EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D

Beskrivning: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

tillverkare: Micron Technology
I lager
EDB4432BBBJ-1D-F-D

EDB4432BBBJ-1D-F-D

Beskrivning: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR

EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR

Beskrivning: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

tillverkare: Micron Technology
I lager
EDB5432BEPA-1DAAT-F-R TR

EDB5432BEPA-1DAAT-F-R TR

Beskrivning: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
EDB4432BBBJ-1D-F-R

EDB4432BBBJ-1D-F-R

Beskrivning: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR

EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR

Beskrivning: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
EDB4432BBPA-1D-F-R TR

EDB4432BBPA-1D-F-R TR

Beskrivning: IC DRAM 4G PARALLEL 168FBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR

EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR

Beskrivning: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR

EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR

Beskrivning: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
EDB4432BBPE-1D-F-D

EDB4432BBPE-1D-F-D

Beskrivning: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

tillverkare: Micron Technology
I lager
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D

EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D

Beskrivning: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

tillverkare: Micron Technology
I lager
EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR

EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR

Beskrivning: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
EDB5432BEPA-1DAAT-F-D

EDB5432BEPA-1DAAT-F-D

Beskrivning: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D

EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D

Beskrivning: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
EDB5432BEBH-1DAUT-F-D

EDB5432BEBH-1DAUT-F-D

Beskrivning: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
EDB4432BBBH-1D-F-D

EDB4432BBBH-1D-F-D

Beskrivning: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
EDB5432BEBH-1DIT-F-D

EDB5432BEBH-1DIT-F-D

Beskrivning: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR

EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR

Beskrivning: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
EDB4432BBBH-1D-F-R TR

EDB4432BBBH-1D-F-R TR

Beskrivning: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
EDB5432BEBH-1DAAT-F-D

EDB5432BEBH-1DAAT-F-D

Beskrivning: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta