Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Dioder - Rectifiers - Single > GPA801DT-TP
RFQs/beställning (0)
Svenska
1598080GPA801DT-TP bildMicro Commercial Components (MCC)

GPA801DT-TP

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    GPA801DT-TP
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    DIODE GPP 8A D2PAK
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Spänning - Framåt (Vf) (Max) @ Om
    1.1V @ 8A
  • Spänning - DC-omvänd (Vr) (Max)
    50V
  • Leverantörs Device Package
    D2PAK
  • Fart
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serier
    -
  • Förpackning / Fodral
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Driftstemperatur - korsning
    -65°C ~ 150°C
  • Monteringstyp
    Surface Mount
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodtyp
    Standard
  • detaljerad beskrivning
    Diode Standard 50V 8A Surface Mount D2PAK
  • Ström - Omvänd läckage @ Vr
    5µA @ 50V
  • Aktuell - Genomsnittlig Rectified (Io)
    8A
  • Kapacitans @ Vr, F
    50pF @ 4V, 1MHz
GPA802HC0G

GPA802HC0G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
GPA803DT-TP

GPA803DT-TP

Beskrivning: DIODE GPP 8A D2PAK

tillverkare: Micro Commercial Components (MCC)
I lager
GPA042A100L-ND

GPA042A100L-ND

Beskrivning: IGBT 1000V 60A 463W TO264

tillverkare: Global Power Technologies Group
I lager
GPA040A120L-FD

GPA040A120L-FD

Beskrivning: IGBT 1200V 80A 480W TO264

tillverkare: Global Power Technologies Group
I lager
GPA801HC0G

GPA801HC0G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
GPA060A060MN-FD

GPA060A060MN-FD

Beskrivning: IGBT 600V 120A 347W TO3PN

tillverkare: Global Power Technologies Group
I lager
GPA030A135MN-FDR

GPA030A135MN-FDR

Beskrivning: IGBT 1350V 60A 329W TO3PN

tillverkare: Global Power Technologies Group
I lager
GPA040A120L-ND

GPA040A120L-ND

Beskrivning: IGBT 1200V 80A 455W TO264

tillverkare: Global Power Technologies Group
I lager
GPA803 C0G

GPA803 C0G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
GPA804 C0G

GPA804 C0G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 8A TO220AC

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
GPA801-BP

GPA801-BP

Beskrivning: DIODE GPP 8A TO220AC

tillverkare: Micro Commercial Components (MCC)
I lager
GPA2000-0.010-02-0816

GPA2000-0.010-02-0816

Beskrivning: THERM PAD 406.4MMX203.2MM GRAY

tillverkare: Bergquist
I lager
GPA030A120MN-FD

GPA030A120MN-FD

Beskrivning: IGBT 1200V 60A 329W TO3PN

tillverkare: Global Power Technologies Group
I lager
GPA802-BP

GPA802-BP

Beskrivning: DIODE GPP 8A TO220AC

tillverkare: Micro Commercial Components (MCC)
I lager
GPA802DT-TP

GPA802DT-TP

Beskrivning: DIODE GPP 8A D2PAK

tillverkare: Micro Commercial Components (MCC)
I lager
GPA803-BP

GPA803-BP

Beskrivning: DIODE GPP 8A TO220AC

tillverkare: Micro Commercial Components (MCC)
I lager
GPA040A120MN-FD

GPA040A120MN-FD

Beskrivning: IGBT 1200V 80A 480W TO3PN

tillverkare: Global Power Technologies Group
I lager
GPA801 C0G

GPA801 C0G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
GPA802 C0G

GPA802 C0G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
GPA803HC0G

GPA803HC0G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager

Review (1)

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta