Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Transistorer - FET, MOSFET - Single > RS1E350BNTB
RFQs/beställning (0)
Svenska
Svenska
3097523RS1E350BNTB bildLAPIS Semiconductor

RS1E350BNTB

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
1+
$1.79
10+
$1.615
100+
$1.298
500+
$1.009
1000+
$0.836
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    RS1E350BNTB
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Leverantörs Device Package
    8-HSOP
  • Serier
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.7 mOhm @ 35A, 10V
  • Effektdissipation (Max)
    35W (Tc)
  • Förpackning
    Original-Reel®
  • Förpackning / Fodral
    8-PowerTDFN
  • Andra namn
    RS1E350BNTBDKR
  • Driftstemperatur
    150°C (TJ)
  • Monteringstyp
    Surface Mount
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
    7900pF @ 15V
  • Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs
    185nC @ 10V
  • FET-typ
    N-Channel
  • FET-funktionen
    -
  • Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På)
    4.5V, 10V
  • Avlopp till källspänning (Vdss)
    30V
  • detaljerad beskrivning
    N-Channel 30V 35A (Ta) 35W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
  • Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C
    35A (Ta)
RS1E280BNTB

RS1E280BNTB

Beskrivning: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RS1E240BNTB

RS1E240BNTB

Beskrivning: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RS1E180BNTB

RS1E180BNTB

Beskrivning: MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RS1G-E3/5AT

RS1G-E3/5AT

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
RS1G M2G

RS1G M2G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS1G-13

RS1G-13

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

tillverkare: Diodes Incorporated
I lager
RS1E300GNTB

RS1E300GNTB

Beskrivning: MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RS1G R3G

RS1G R3G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS1G-M3/5AT

RS1G-M3/5AT

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
RS1G-13-F

RS1G-13-F

Beskrivning:

tillverkare: Diodes Incorporated
I lager
RS1E240GNTB

RS1E240GNTB

Beskrivning:

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RS1G-E3/61T

RS1G-E3/61T

Beskrivning:

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
RS1E200GNTB

RS1E200GNTB

Beskrivning: MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RS1E320GNTB

RS1E320GNTB

Beskrivning: MOSFET N-CH 30V 32A 8-HSOP

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RS1E200BNTB

RS1E200BNTB

Beskrivning: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RS1G-M3/61T

RS1G-M3/61T

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
RS1E170GNTB

RS1E170GNTB

Beskrivning: MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RS1E280GNTB

RS1E280GNTB

Beskrivning: MOSFET N-CH 30V 28A 8-HSOP

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RS1G

RS1G

Beskrivning:

tillverkare: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
I lager
RS1G/1

RS1G/1

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta