Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Transistorer - FET, MOSFET - Single > RS1E130GNTB
RFQs/beställning (0)
Svenska
4699545RS1E130GNTB bildLAPIS Semiconductor

RS1E130GNTB

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
1+
$0.67
10+
$0.564
100+
$0.423
500+
$0.31
1000+
$0.24
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    RS1E130GNTB
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    MOSFET N-CH 30V 13A 8-HSOP
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Leverantörs Device Package
    8-HSOP
  • Serier
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11.7 mOhm @ 13A, 10V
  • Effektdissipation (Max)
    3W (Ta), 22.2W (Tc)
  • Förpackning
    Cut Tape (CT)
  • Förpackning / Fodral
    8-PowerTDFN
  • Andra namn
    RS1E130GNTBCT
  • Driftstemperatur
    150°C (TJ)
  • Monteringstyp
    Surface Mount
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tillverkarens normala ledtid
    40 Weeks
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
    420pF @ 15V
  • Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs
    7.9nC @ 10V
  • FET-typ
    N-Channel
  • FET-funktionen
    -
  • Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På)
    4.5V, 10V
  • Avlopp till källspänning (Vdss)
    30V
  • detaljerad beskrivning
    N-Channel 30V 13A (Ta) 3W (Ta), 22.2W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
  • Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C
    13A (Ta)
RS1E300GNTB

RS1E300GNTB

Beskrivning: MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RS1E150GNTB

RS1E150GNTB

Beskrivning: MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSOP

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RS1E240BNTB

RS1E240BNTB

Beskrivning: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RS1DTR

RS1DTR

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 1A SMA

tillverkare: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
I lager
RS1DLHR3G

RS1DLHR3G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS1E200GNTB

RS1E200GNTB

Beskrivning: MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RS1DLHRHG

RS1DLHRHG

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS1DLHRFG

RS1DLHRFG

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS1DLHRQG

RS1DLHRQG

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS1E280GNTB

RS1E280GNTB

Beskrivning: MOSFET N-CH 30V 28A 8-HSOP

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RS1E200BNTB

RS1E200BNTB

Beskrivning: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RS1DLW RVG

RS1DLW RVG

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS1DLHRVG

RS1DLHRVG

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS1DLHRTG

RS1DLHRTG

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS1E180BNTB

RS1E180BNTB

Beskrivning: MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RS1E280BNTB

RS1E280BNTB

Beskrivning: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RS1E240GNTB

RS1E240GNTB

Beskrivning:

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RS1DLWHRVG

RS1DLWHRVG

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS1E170GNTB

RS1E170GNTB

Beskrivning: MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RS1DLHRUG

RS1DLHRUG

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta