Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Transistorer - FET, MOSFET - Single > RQ3G100GNTB
RFQs/beställning (0)
Svenska
Svenska
4664477

RQ3G100GNTB

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
3000+
$0.182
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    RQ3G100GNTB
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    MOSFET N-CH 40V 10A TSMT
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Leverantörs Device Package
    8-HSMT (3.2x3)
  • Serier
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    14.3 mOhm @ 10A, 10V
  • Effektdissipation (Max)
    2W (Ta)
  • Förpackning
    Tape & Reel (TR)
  • Förpackning / Fodral
    8-PowerVDFN
  • Andra namn
    RQ3G100GNTBTR
  • Driftstemperatur
    150°C (TJ)
  • Monteringstyp
    Surface Mount
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tillverkarens normala ledtid
    40 Weeks
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
    615pF @ 20V
  • Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs
    8.4nC @ 10V
  • FET-typ
    N-Channel
  • FET-funktionen
    -
  • Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På)
    4.5V, 10V
  • Avlopp till källspänning (Vdss)
    40V
  • detaljerad beskrivning
    N-Channel 40V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
  • Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C
    10A (Ta)
RQ3E150MNTB1

RQ3E150MNTB1

Beskrivning: MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RQ3E150BNTB

RQ3E150BNTB

Beskrivning: MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RQ3E180AJTB

RQ3E180AJTB

Beskrivning:

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RQ3E120ATTB

RQ3E120ATTB

Beskrivning:

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RQ3E180BNTB

RQ3E180BNTB

Beskrivning:

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RQ3E160ADTB

RQ3E160ADTB

Beskrivning: MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RQ3E120BNTB

RQ3E120BNTB

Beskrivning: MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RQ3E080GNTB

RQ3E080GNTB

Beskrivning: MOSFET N-CH 30V 8A 8-HSMT

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RQ3E100GNTB

RQ3E100GNTB

Beskrivning: MOSFET N-CH 30V 10A 8-HSMT

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RQ3E100MNTB1

RQ3E100MNTB1

Beskrivning: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RQ3E150GNTB

RQ3E150GNTB

Beskrivning:

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RQ3E080BNTB

RQ3E080BNTB

Beskrivning:

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RQ3E180GNTB

RQ3E180GNTB

Beskrivning: MOSFET N-CH 30V 18A 8-HSMT

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RQ3E130BNTB

RQ3E130BNTB

Beskrivning: MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RQ3G150GNTB

RQ3G150GNTB

Beskrivning: MOSFET N-CHANNEL 40V 39A 8HSMT

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RQ3E075ATTB

RQ3E075ATTB

Beskrivning:

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RQ3L050GNTB

RQ3L050GNTB

Beskrivning: MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8HSMT

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RQ3E100BNTB

RQ3E100BNTB

Beskrivning: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RQ3E120GNTB

RQ3E120GNTB

Beskrivning:

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RQ3E130MNTB1

RQ3E130MNTB1

Beskrivning: MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta