Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Dioder - RF > RN262GT2R
RFQs/beställning (0)
Svenska
1307159RN262GT2R bildLAPIS Semiconductor

RN262GT2R

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
8000+
$0.099
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    RN262GT2R
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    DIODE PIN HF SW 30V 100MA VMD2
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Spänning - Peak Reverse (Max)
    30V
  • Leverantörs Device Package
    VMD2
  • Serier
    -
  • Motstånd @ Om, F
    1.5 Ohm @ 10mA, 100MHz
  • Effektdissipation (Max)
    100mW
  • Förpackning
    Tape & Reel (TR)
  • Förpackning / Fodral
    2-SMD, Flat Lead
  • Driftstemperatur
    150°C (TJ)
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tillverkarens normala ledtid
    10 Weeks
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodtyp
    PIN - Single
  • detaljerad beskrivning
    RF Diode PIN - Single 30V 100mA 100mW VMD2
  • Nuvarande - Max
    100mA
  • Kapacitans @ Vr, F
    0.4pF @ 1V, 1MHz
RN2704JE(TE85L,F)

RN2704JE(TE85L,F)

Beskrivning: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

tillverkare: Toshiba Semiconductor and Storage
I lager
RN2707JE(TE85L,F)

RN2707JE(TE85L,F)

Beskrivning: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

tillverkare: Toshiba Semiconductor and Storage
I lager
RN2606(TE85L,F)

RN2606(TE85L,F)

Beskrivning: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

tillverkare: Toshiba Semiconductor and Storage
I lager
RN2601(TE85L,F)

RN2601(TE85L,F)

Beskrivning: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

tillverkare: Toshiba Semiconductor and Storage
I lager
RN2607(TE85L,F)

RN2607(TE85L,F)

Beskrivning: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

tillverkare: Toshiba Semiconductor and Storage
I lager
RN2710JE(TE85L,F)

RN2710JE(TE85L,F)

Beskrivning: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

tillverkare: Toshiba Semiconductor and Storage
I lager
RN2604(TE85L,F)

RN2604(TE85L,F)

Beskrivning: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

tillverkare: Toshiba Semiconductor and Storage
I lager
RN2702TE85LF

RN2702TE85LF

Beskrivning: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV

tillverkare: Toshiba Semiconductor and Storage
I lager
RN2708JE(TE85L,F)

RN2708JE(TE85L,F)

Beskrivning: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

tillverkare: Toshiba Semiconductor and Storage
I lager
RN2608(TE85L,F)

RN2608(TE85L,F)

Beskrivning: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

tillverkare: Toshiba Semiconductor and Storage
I lager
RN2610(TE85L,F)

RN2610(TE85L,F)

Beskrivning: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

tillverkare: Toshiba Semiconductor and Storage
I lager
RN2706JE(TE85L,F)

RN2706JE(TE85L,F)

Beskrivning: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

tillverkare: Toshiba Semiconductor and Storage
I lager
RN2603(TE85L,F)

RN2603(TE85L,F)

Beskrivning: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

tillverkare: Toshiba Semiconductor and Storage
I lager
RN2701JE(TE85L,F)

RN2701JE(TE85L,F)

Beskrivning: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

tillverkare: Toshiba Semiconductor and Storage
I lager
RN2705JE(TE85L,F)

RN2705JE(TE85L,F)

Beskrivning: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

tillverkare: Toshiba Semiconductor and Storage
I lager
RN2605(TE85L,F)

RN2605(TE85L,F)

Beskrivning: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

tillverkare: Toshiba Semiconductor and Storage
I lager
RN2602(TE85L,F)

RN2602(TE85L,F)

Beskrivning: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

tillverkare: Toshiba Semiconductor and Storage
I lager
RN2709JE(TE85L,F)

RN2709JE(TE85L,F)

Beskrivning: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

tillverkare: Toshiba Semiconductor and Storage
I lager
RN2703JE(TE85L,F)

RN2703JE(TE85L,F)

Beskrivning: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

tillverkare: Toshiba Semiconductor and Storage
I lager
RN262CST2R

RN262CST2R

Beskrivning: DIODE PIN HF SW 30V 100MA VMN2

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager

Review (1)

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta