Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Transistorer - FET, MOSFET - Single > RJU003N03T106
RFQs/beställning (0)
Svenska
Svenska
6062365RJU003N03T106 bildLAPIS Semiconductor

RJU003N03T106

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
10+
$0.045
100+
$0.036
300+
$0.031
3000+
$0.027
6000+
$0.024
9000+
$0.023
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    RJU003N03T106
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Leverantörs Device Package
    UMT3
  • Serier
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.1 Ohm @ 300mA, 4.5V
  • Effektdissipation (Max)
    200mW (Ta)
  • Förpackning
    Tape & Reel (TR)
  • Förpackning / Fodral
    SC-70, SOT-323
  • Andra namn
    RJU003N03T106TR
  • Driftstemperatur
    150°C (TJ)
  • Monteringstyp
    Surface Mount
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
    24pF @ 10V
  • FET-typ
    N-Channel
  • FET-funktionen
    -
  • Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På)
    2.5V, 4.5V
  • Avlopp till källspänning (Vdss)
    30V
  • detaljerad beskrivning
    N-Channel 30V 300mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3
  • Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C
    300mA (Ta)
RJU4352SDPE-00#J3

RJU4352SDPE-00#J3

Beskrivning: DIODE GEN PURP 430V 20A LDPAK

tillverkare: Renesas Electronics America
I lager
RJU6052SDPE-00#J3

RJU6052SDPE-00#J3

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 20A LDPAK

tillverkare: Renesas Electronics America
I lager
RJU3051SDPE-00#J3

RJU3051SDPE-00#J3

Beskrivning: DIODE GEN PURP 360V 10A LDPAK

tillverkare: Renesas Electronics America
I lager
RJU60C2SDPD-E0#J2

RJU60C2SDPD-E0#J2

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252

tillverkare: Renesas Electronics America
I lager
RJU6053WDPP-M0#T2

RJU6053WDPP-M0#T2

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220FL

tillverkare: Renesas Electronics America
I lager
RJU4351TDPP-EJ#T2

RJU4351TDPP-EJ#T2

Beskrivning: DIODE GP 430V 10A TO220FP-2L

tillverkare: Renesas Electronics America
I lager
RJU4352SDPD-E0#J2

RJU4352SDPD-E0#J2

Beskrivning: DIODE GEN PURP 430V 20A TO252

tillverkare: Renesas Electronics America
I lager
RJU60C2TDPP-EJ#T2

RJU60C2TDPP-EJ#T2

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220FP

tillverkare: Renesas Electronics America
I lager
RJU002N06T106

RJU002N06T106

Beskrivning: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RJU4352TDPP-EJ#T2

RJU4352TDPP-EJ#T2

Beskrivning: DIODE GP 430V 20A TO220FP-2L

tillverkare: Renesas Electronics America
I lager
RJU6053SDPE-00#J3

RJU6053SDPE-00#J3

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 20A LDPAK

tillverkare: Renesas Electronics America
I lager
RJU6052TDPP-EJ#T2

RJU6052TDPP-EJ#T2

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220FP

tillverkare: Renesas Electronics America
I lager
RJU6053TDPP-EJ#T2

RJU6053TDPP-EJ#T2

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220FP

tillverkare: Renesas Electronics America
I lager
RJU6052SDPD-E0#J2

RJU6052SDPD-E0#J2

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 20A TO252

tillverkare: Renesas Electronics America
I lager
RJU3052SDPD-E0#J2

RJU3052SDPD-E0#J2

Beskrivning: DIODE GEN PURP 360V 20A TO252

tillverkare: Renesas Electronics America
I lager
RJU60C3SDPD-E0#J2

RJU60C3SDPD-E0#J2

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 10A TO252

tillverkare: Renesas Electronics America
I lager
RJU6054TDPP-EJ#T2

RJU6054TDPP-EJ#T2

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220FP

tillverkare: Renesas Electronics America
I lager
RJU4351SDPE-00#J3

RJU4351SDPE-00#J3

Beskrivning: DIODE GEN PURP 430V 10A LDPAK

tillverkare: Renesas Electronics America
I lager
RJU6054SDPE-00#J3

RJU6054SDPE-00#J3

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 30A LDPAK

tillverkare: Renesas Electronics America
I lager
RJU002N06FRAT106

RJU002N06FRAT106

Beskrivning:

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta