Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Transistorer - FET, MOSFET - Single > R6012FNX
RFQs/beställning (0)
Svenska
Svenska
5002421R6012FNX bildLAPIS Semiconductor

R6012FNX

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
1+
$5.47
10+
$4.888
100+
$4.008
500+
$3.245
1000+
$2.737
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    R6012FNX
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Leverantörs Device Package
    TO-220FM
  • Serier
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    510 mOhm @ 6A, 10V
  • Effektdissipation (Max)
    50W (Tc)
  • Förpackning
    Bulk
  • Förpackning / Fodral
    TO-220-3 Full Pack
  • Driftstemperatur
    150°C (TJ)
  • Monteringstyp
    Through Hole
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
    1300pF @ 25V
  • Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs
    35nC @ 10V
  • FET-typ
    N-Channel
  • FET-funktionen
    -
  • Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På)
    10V
  • Avlopp till källspänning (Vdss)
    600V
  • detaljerad beskrivning
    N-Channel 600V 12A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220FM
  • Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C
    12A (Tc)
R6012225XXYA

R6012225XXYA

Beskrivning: DIODE GEN PURP 2.2KV 250A DO205

tillverkare: Powerex, Inc.
I lager
R6015ANZC8

R6015ANZC8

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
R6012425XXYA

R6012425XXYA

Beskrivning: DIODE GEN PURP 2.4KV 250A DO205

tillverkare: Powerex, Inc.
I lager
R6012ANX

R6012ANX

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
R6015FNX

R6015FNX

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
R6012ANJTL

R6012ANJTL

Beskrivning: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
R6013-00

R6013-00

Beskrivning: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLON 1/2"

tillverkare: Harwin
I lager
R6015KNJTL

R6015KNJTL

Beskrivning: NCH 600V 15A POWER MOSFET

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
R6015FNJTL

R6015FNJTL

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 15A LPT

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
R6011KNJTL

R6011KNJTL

Beskrivning: MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO263

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
R6015ANX

R6015ANX

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
R6012FNJTL

R6012FNJTL

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 12A LPT

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
R6015ENJTL

R6015ENJTL

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 15A LPT

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
R6015ENZC8

R6015ENZC8

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
R6015ENX

R6015ENX

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 15A TO220

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
R6012025XXYA

R6012025XXYA

Beskrivning: DIODE GEN PURP 2KV 250A DO205

tillverkare: Powerex, Inc.
I lager
R6011KNX

R6011KNX

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
R6012625XXYA

R6012625XXYA

Beskrivning: DIODE GEN PURP 2.6KV 250A DO205

tillverkare: Powerex, Inc.
I lager
R6012030XXYA

R6012030XXYA

Beskrivning: DIODE GEN PURP 2KV 300A DO205

tillverkare: Powerex, Inc.
I lager
R6015ANJTL

R6015ANJTL

Beskrivning: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta