Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Transistorer - FET, MOSFET - Single > SUD90330E-GE3
RFQs/beställning (0)
Svenska
Svenska
1586693SUD90330E-GE3 bildElectro-Films (EFI) / Vishay

SUD90330E-GE3

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
1+
$1.89
10+
$1.671
100+
$1.32
500+
$1.024
1000+
$0.808
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    SUD90330E-GE3
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    MOSFET N-CH 200V 35.8A TO252AA
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Leverantörs Device Package
    TO-252AA
  • Serier
    ThunderFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    37.5 mOhm @ 12.2A, 10V
  • Effektdissipation (Max)
    125W (Tc)
  • Förpackning
    Cut Tape (CT)
  • Förpackning / Fodral
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Andra namn
    SUD90330E-GE3CT
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Monteringstyp
    Surface Mount
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
    1172pF @ 100V
  • Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs
    32nC @ 10V
  • FET-typ
    N-Channel
  • FET-funktionen
    -
  • Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På)
    7.5V, 10V
  • Avlopp till källspänning (Vdss)
    200V
  • detaljerad beskrivning
    N-Channel 200V 35.8A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-252AA
  • Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C
    35.8A (Tc)
SUD50P04-13L-E3

SUD50P04-13L-E3

Beskrivning: MOSFET P-CH 40V 60A TO252

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SUD50P04-13L-GE3

SUD50P04-13L-GE3

Beskrivning: MOSFET P-CH 40V 60A DPAK

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SUD50P10-43L-E3

SUD50P10-43L-E3

Beskrivning:

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SUD50P04-40P-T4-E3

SUD50P04-40P-T4-E3

Beskrivning: MOSFET P-CH 40V 6A TO252

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SUD50P04-15-E3

SUD50P04-15-E3

Beskrivning: MOSFET P-CH 40V 50A TO252

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SUD50P06-15L-E3

SUD50P06-15L-E3

Beskrivning:

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SUD50P10-43L-GE3

SUD50P10-43L-GE3

Beskrivning:

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SUD50P04-08-GE3

SUD50P04-08-GE3

Beskrivning:

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SUD50P06-15-GE3

SUD50P06-15-GE3

Beskrivning:

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SUD50P04-23-E3

SUD50P04-23-E3

Beskrivning: MOSFET P-CH 40V 8.2A TO252

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SUD50P04-09L-E3

SUD50P04-09L-E3

Beskrivning:

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SUD80460E-GE3

SUD80460E-GE3

Beskrivning: MOSFET N-CH 150V 42A TO252AA

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SUD50P08-26-E3

SUD50P08-26-E3

Beskrivning: MOSFET P-CH 80V 50A TO252

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SUDC208V42P

SUDC208V42P

Beskrivning: 3-PHASE DISTRIBUTION CABINET

tillverkare: Tripp Lite
I lager
SUD70090E-GE3

SUD70090E-GE3

Beskrivning: MOSFET N-CH 100V 50A DPAK TO252

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SUD50P08-25L-E3

SUD50P08-25L-E3

Beskrivning:

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SUD50NP04-77P-T4E3

SUD50NP04-77P-T4E3

Beskrivning: MOSFET N/P-CH 40V 8A TO252-4

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SUD50P06-15L-T4-E3

SUD50P06-15L-T4-E3

Beskrivning: MOSFET P-CH 60V 50A TO252

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SUD50P04-23-GE3

SUD50P04-23-GE3

Beskrivning: MOSFET P-CH 40V 8.2A TO252

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SUD50P10-43-E3

SUD50P10-43-E3

Beskrivning: MOSFET P-CH 100V 38A TO252

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta