SIS330DN-T1-GE3

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Förfrågan Online

Specifikationer

Artikelnummer

SIS330DN-T1-GE3
Tillverkare / Brand

Electro-Films (EFI) / Vishay
Lagerkvantitet

I lager
Beskrivning

MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
Ledningsfri status / RoHS-status

Blyfri / Överensstämmer med RoHS
Datablad

SIS330DN-T1-GE3.pdf
Ecad -modell
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)
Leverantörs Device Package

PowerPAK® 1212-8
Serier

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.6 mOhm @ 10A, 10V
Effektdissipation (Max)

3.7W (Ta), 52W (Tc)
Förpackning

Tape & Reel (TR)
Förpackning / Fodral

PowerPAK® 1212-8
Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp

Surface Mount
Fuktkänslighetsnivå (MSL)

1 (Unlimited)
Ledningsfri status / RoHS-status

Lead free / RoHS Compliant
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 15V
Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V
FET-typ

N-Channel
FET-funktionen

-
Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På)

4.5V, 10V
Avlopp till källspänning (Vdss)

30V
detaljerad beskrivning

N-Channel 30V 35A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C

35A (Tc)

Relaterade nyheter
Frakt
Betalning

Vi har etablerat långsiktiga partnerskap med stora globala logistikleverantörer och erbjuder flexibla och effektiva fraktlösningar anpassade efter dina unika behov.Beroende på storlek, vikt och destination för din beställning väljer vi den mest lämpliga fraktbäraren.Vi tillhandahåller också realtidslogistikspårningstjänster, vilket gör att kunder kan förstå platsen och statusen för sina varor när som helst. Om du har specifika internationella fraktvägar eller en utsedd speditör, vänligen kontakta vårt säljteam-vi är glada att tillgodose dina krav.

Vi stöder flera betalningsmetoder, inklusive kreditkort, trådöverföringar och andra alternativ, och accepterar de flesta valutor.För beställningar som placeras i USD finns ytterligare betalningsalternativ tillgängliga.För mer information om betalningsmetoder och procedurer, vänligen kontakta vårt säljteam.

Följande är "SIS330DN-T1-GE3" -relaterade produkter.

SIS414DN-T1-GE3

Beskrivning: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8 PPAK

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay

I lager

SIS330DN-T1-GE3

Begär offert

Counterpoint ： År 2024 kommer den globala leveransen av C...

TSMC: s 2nm-chip kommer att massproduceras under andra halv...

Stark efterfrågan på analoga chips, Texas Instruments Q2 ...

INATRONICS 2025: Electronics & Component Industries

Institution: Apples självutvecklade chip förväntas spara...

NEPCON 2025 Unveils Next-Gen Tech

IBM: s VD varnar för chipförsörjningsrisker och stöder ...

EMK 2025 Highlights Innovation in Electronics Manufacturing

Samsung Electro Mechanics uppgraderar nyckel Chip Technolog...

STMicroelectronics Strengthens Technology Portfolio: From M...

2025 Global Semiconductor Tariff Surge: Supply Chain Shifts...

SK Hynix planerar att investera över KRW 20 biljoner i år...

Välj språk

Aktuellt språk