SIR668DP-T1-RE3

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager

3000+

$1.195

Förfrågan Online

Specifikationer

Artikelnummer

SIR668DP-T1-RE3
Tillverkare / Brand

Electro-Films (EFI) / Vishay
Lagerkvantitet

I lager
Beskrivning

MOSFET N-CH 100V 95A POWERPAKSO
Ledningsfri status / RoHS-status

Blyfri / Överensstämmer med RoHS
Datablad

SIR668DP-T1-RE3.pdf
Ecad -modell
Vgs (th) (Max) @ Id

3.4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)
Leverantörs Device Package

PowerPAK® SO-8
Serier

TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.8 mOhm @ 20A, 10V
Effektdissipation (Max)

104W (Tc)
Förpackning

Tape & Reel (TR)
Förpackning / Fodral

PowerPAK® SO-8
Andra namn

SIR668DP-T1-RE3TR
Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp

Surface Mount
Fuktkänslighetsnivå (MSL)

1 (Unlimited)
Tillverkarens normala ledtid

32 Weeks
Ledningsfri status / RoHS-status

Lead free / RoHS Compliant
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

5400pF @ 50V
Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs

83nC @ 7.5V
FET-typ

N-Channel
FET-funktionen

-
Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På)

7.5V, 10V
Avlopp till källspänning (Vdss)

100V
detaljerad beskrivning

N-Channel 100V 95A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C

95A (Tc)

Relaterade nyheter
Frakt
Betalning

Vi har etablerat långsiktiga partnerskap med stora globala logistikleverantörer och erbjuder flexibla och effektiva fraktlösningar anpassade efter dina unika behov.Beroende på storlek, vikt och destination för din beställning väljer vi den mest lämpliga fraktbäraren.Vi tillhandahåller också realtidslogistikspårningstjänster, vilket gör att kunder kan förstå platsen och statusen för sina varor när som helst. Om du har specifika internationella fraktvägar eller en utsedd speditör, vänligen kontakta vårt säljteam-vi är glada att tillgodose dina krav.

Vi stöder flera betalningsmetoder, inklusive kreditkort, trådöverföringar och andra alternativ, och accepterar de flesta valutor.För beställningar som placeras i USD finns ytterligare betalningsalternativ tillgängliga.För mer information om betalningsmetoder och procedurer, vänligen kontakta vårt säljteam.

Följande är "SIR668DP-T1-RE3" -relaterade produkter.

SIR770DP-T1-GE3

Beskrivning: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay

I lager

SIR668DP-T1-RE3

Begär offert

Referenspris (i amerikanska dollar)

UK Semiconductors 2025: Innovation, Ecosystem, and Strategi...

Samsung Wafer Foundry vill tävla om NVIDIA 2NM GPU -bestä...

Intel anser att de justerar sin Wafer Foungery Business Str...

Sydkoreas halvledarexport i juni ökade med 11,6% från...

LG Display tillkännager massproduktion på 27 tum OLED -sk...

Microsofts självutvecklade AI-chip braga har försenats i ...

ASML Executive: Företaget har åtagit sig att utveckla mer...

Semi: AI -driven industri påskyndar expansion, halvledarpr...

Den sydkoreanska regeringen kommer att hyra Nvidia Blackwel...

Samsung Exynos 2500 Chip Officiellt släppt: Första 3NM GA...

U.S. Plans to Revoke Semiconductor Waivers : What It Means ...

TSMC planerar aktivt en 2nm produktionskapacitet, med en m...

Review (1)

Stal***e

Quick inquiry

Välj språk

Aktuellt språk