SIR402DP-T1-GE3

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager

$2.24

10+

$2.023

100+

$1.626

500+

$1.264

1000+

$1.048

Förfrågan Online

Specifikationer

Artikelnummer

SIR402DP-T1-GE3
Tillverkare / Brand

Electro-Films (EFI) / Vishay
Lagerkvantitet

I lager
Beskrivning

MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
Ledningsfri status / RoHS-status

Blyfri / Överensstämmer med RoHS
Datablad

SIR402DP-T1-GE3.pdf
Ecad -modell
Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)
Leverantörs Device Package

PowerPAK® SO-8
Serier

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

6 mOhm @ 20A, 10V
Effektdissipation (Max)

4.2W (Ta), 36W (Tc)
Förpackning

Cut Tape (CT)
Förpackning / Fodral

PowerPAK® SO-8
Andra namn

SIR402DP-T1-GE3CT
Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp

Surface Mount
Fuktkänslighetsnivå (MSL)

1 (Unlimited)
Tillverkarens normala ledtid

27 Weeks
Ledningsfri status / RoHS-status

Lead free / RoHS Compliant
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

1700pF @ 15V
Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 10V
FET-typ

N-Channel
FET-funktionen

-
Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På)

4.5V, 10V
Avlopp till källspänning (Vdss)

30V
detaljerad beskrivning

N-Channel 30V 35A (Tc) 4.2W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C

35A (Tc)

Relaterade nyheter
Frakt
Betalning

Vi har etablerat långsiktiga partnerskap med stora globala logistikleverantörer och erbjuder flexibla och effektiva fraktlösningar anpassade efter dina unika behov.Beroende på storlek, vikt och destination för din beställning väljer vi den mest lämpliga fraktbäraren.Vi tillhandahåller också realtidslogistikspårningstjänster, vilket gör att kunder kan förstå platsen och statusen för sina varor när som helst. Om du har specifika internationella fraktvägar eller en utsedd speditör, vänligen kontakta vårt säljteam-vi är glada att tillgodose dina krav.

Vi stöder flera betalningsmetoder, inklusive kreditkort, trådöverföringar och andra alternativ, och accepterar de flesta valutor.För beställningar som placeras i USD finns ytterligare betalningsalternativ tillgängliga.För mer information om betalningsmetoder och procedurer, vänligen kontakta vårt säljteam.

Följande är "SIR402DP-T1-GE3" -relaterade produkter.

SIR404DP-T1-GE3

Beskrivning: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay

I lager

SIR402DP-T1-GE3

Begär offert

Referenspris (i amerikanska dollar)

TSMC: s intäkter i april ökade med 48,1% från år ti...

Det rapporteras att Nvidia kommer att släppa en nedgradera...

Sydkorea begär undantag från potentiella tullar på impor...

SENSOR+TEST 2025 A Global Stage for Innovation in Sensor an...

Indisk chiptillverkning lider av bakslag!Zoho och Adani har...

PCIM Europe 2025 Highlights

Samsungs OEM -verksamhet träffas igen, AMD ger upp att ant...

TI introduces latest innovations in edge AI, automotive and...

Semi: Q1 Global Silicon Wafer-transporter ökade med 2,2...

Semi ： Global Semiconductor Materials Market Intäkter vä...

TSMC: s 2NM-process defektdensitet träffar en ny låg, fö...

India invests $2.7 billion to boost local electronic compon...

Välj språk

Aktuellt språk