SIR108DP-T1-RE3

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager

3000+

$0.793

Förfrågan Online

Specifikationer

Artikelnummer

SIR108DP-T1-RE3
Tillverkare / Brand

Electro-Films (EFI) / Vishay
Lagerkvantitet

I lager
Beskrivning

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8
Ledningsfri status / RoHS-status

Blyfri / Överensstämmer med RoHS
Datablad

SIR108DP-T1-RE3.pdf
Ecad -modell
Vgs (th) (Max) @ Id

3.6V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)
Leverantörs Device Package

PowerPAK® SO-8
Serier

TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.5 mOhm @ 10A, 10V
Effektdissipation (Max)

5W (Ta), 65.7W (Tc)
Förpackning

Tape & Reel (TR)
Förpackning / Fodral

PowerPAK® SO-8
Andra namn

SIR108DP-RE3
SIR108DP-T1-RE3TR
Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp

Surface Mount
Fuktkänslighetsnivå (MSL)

1 (Unlimited)
Tillverkarens normala ledtid

32 Weeks
Ledningsfri status / RoHS-status

Lead free / RoHS Compliant
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

2060pF @ 50V
Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs

41.5nC @ 10V
FET-typ

N-Channel
FET-funktionen

-
Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På)

7.5V, 10V
Avlopp till källspänning (Vdss)

100V
detaljerad beskrivning

N-Channel 100V 12.4A (Ta), 45A (Tc) 5W (Ta), 65.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C

12.4A (Ta), 45A (Tc)

Relaterade nyheter
Frakt
Betalning

Vi har etablerat långsiktiga partnerskap med stora globala logistikleverantörer och erbjuder flexibla och effektiva fraktlösningar anpassade efter dina unika behov.Beroende på storlek, vikt och destination för din beställning väljer vi den mest lämpliga fraktbäraren.Vi tillhandahåller också realtidslogistikspårningstjänster, vilket gör att kunder kan förstå platsen och statusen för sina varor när som helst. Om du har specifika internationella fraktvägar eller en utsedd speditör, vänligen kontakta vårt säljteam-vi är glada att tillgodose dina krav.

Vi stöder flera betalningsmetoder, inklusive kreditkort, trådöverföringar och andra alternativ, och accepterar de flesta valutor.För beställningar som placeras i USD finns ytterligare betalningsalternativ tillgängliga.För mer information om betalningsmetoder och procedurer, vänligen kontakta vårt säljteam.

Följande är "SIR108DP-T1-RE3" -relaterade produkter.

SIR-568ST3F

Beskrivning: EMITTER IR 850NM 100MA T 1 3/4

tillverkare: LAPIS Semiconductor

I lager

SIR108DP-T1-RE3

Begär offert

Referenspris (i amerikanska dollar)

Counterpoint ： År 2024 kommer den globala leveransen av C...

TSMC: s 2nm-chip kommer att massproduceras under andra halv...

Stark efterfrågan på analoga chips, Texas Instruments Q2 ...

INATRONICS 2025: Electronics & Component Industries

Institution: Apples självutvecklade chip förväntas spara...

NEPCON 2025 Unveils Next-Gen Tech

IBM: s VD varnar för chipförsörjningsrisker och stöder ...

EMK 2025 Highlights Innovation in Electronics Manufacturing

Samsung Electro Mechanics uppgraderar nyckel Chip Technolog...

STMicroelectronics Strengthens Technology Portfolio: From M...

2025 Global Semiconductor Tariff Surge: Supply Chain Shifts...

SK Hynix planerar att investera över KRW 20 biljoner i år...

Välj språk

Aktuellt språk