Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Transistorer - FET, MOSFET - Single > SIHF30N60E-GE3
RFQs/beställning (0)
Svenska
6373724SIHF30N60E-GE3 bildElectro-Films (EFI) / Vishay

SIHF30N60E-GE3

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
1+
$7.08
10+
$6.325
100+
$5.187
500+
$4.20
1000+
$3.542
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    SIHF30N60E-GE3
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    MOSFET N-CH 600V 29A TO220
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Serier
    E
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    125 mOhm @ 15A, 10V
  • Effektdissipation (Max)
    37W (Tc)
  • Förpackning
    Cut Tape (CT)
  • Förpackning / Fodral
    TO-220-3 Full Pack
  • Andra namn
    SIHF30N60E-GE3CT
    SIHF30N60E-GE3CT-ND
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Monteringstyp
    Through Hole
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
    2600pF @ 100V
  • Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs
    130nC @ 10V
  • FET-typ
    N-Channel
  • FET-funktionen
    -
  • Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På)
    10V
  • Avlopp till källspänning (Vdss)
    600V
  • detaljerad beskrivning
    N-Channel 600V 29A (Tc) 37W (Tc) Through Hole
  • Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C
    29A (Tc)
SIHF30N60E-GE3

SIHF30N60E-GE3

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 29A TO220

tillverkare: Vishay Siliconix
I lager
SIHF22N60E-GE3

SIHF22N60E-GE3

Beskrivning:

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SIHF18N50C-E3

SIHF18N50C-E3

Beskrivning: MOSFET N-CH 500V 18A TO220

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SIHF35N60E-GE3

SIHF35N60E-GE3

Beskrivning: MOSFET N-CHANNEL 600V 32A TO220

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SIHF23N60E-GE3

SIHF23N60E-GE3

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 23A TO-220

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SIHF22N60E-GE3

SIHF22N60E-GE3

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 21A TO220

tillverkare: Vishay Siliconix
I lager
SIHF7N60E-E3

SIHF7N60E-E3

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 7A TO-220

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SIHF5N50D-E3

SIHF5N50D-E3

Beskrivning: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220 FLPK

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SIHF16N50C-E3

SIHF16N50C-E3

Beskrivning: MOSFET N-CH 500V 16A TO-220

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SIHF15N65E-GE3

SIHF15N65E-GE3

Beskrivning: MOSFET N-CH 650V 15A TO220AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SIHF6N40D-E3

SIHF6N40D-E3

Beskrivning: MOSFET N-CH 400V 6A TO-220 FPAK

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SIHF8N50L-E3

SIHF8N50L-E3

Beskrivning: MOSFET N-CH 500V 8A TO220FP

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SIHFB11N50A-E3

SIHFB11N50A-E3

Beskrivning: MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SIHF18N50D-E3

SIHF18N50D-E3

Beskrivning:

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SIHF6N65E-GE3

SIHF6N65E-GE3

Beskrivning: MOSFET N-CH 650V 6A TO220FP

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SIHF22N65E-GE3

SIHF22N65E-GE3

Beskrivning: MOSFET N-CH 650V 22A TO-220FK

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SIHF28N60EF-GE3

SIHF28N60EF-GE3

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 28A FULLPAK220

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SIHF8N50D-E3

SIHF8N50D-E3

Beskrivning: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220 FLPK

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SIHF7N60E-GE3

SIHF7N60E-GE3

Beskrivning: MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO220

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SIHF15N60E-GE3

SIHF15N60E-GE3

Beskrivning:

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager

Review (1)

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta