SI3460DDV-T1-GE3

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager

3000+

$0.16

Förfrågan Online

Specifikationer

Artikelnummer

SI3460DDV-T1-GE3
Tillverkare / Brand

Electro-Films (EFI) / Vishay
Lagerkvantitet

I lager
Beskrivning

MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-TSOP
Ledningsfri status / RoHS-status

Blyfri / Överensstämmer med RoHS
Datablad

SI3460DDV-T1-GE3.pdf
Ecad -modell
Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)
Leverantörs Device Package

6-TSOP
Serier

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

28 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Effektdissipation (Max)

1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Förpackning

Tape & Reel (TR)
Förpackning / Fodral

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Andra namn

SI3460DDV-T1-GE3TR
SI3460DDVT1GE3
Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp

Surface Mount
Fuktkänslighetsnivå (MSL)

1 (Unlimited)
Ledningsfri status / RoHS-status

Lead free / RoHS Compliant
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

666pF @ 10V
Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 8V
FET-typ

N-Channel
FET-funktionen

-
Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På)

1.8V, 4.5V
Avlopp till källspänning (Vdss)

20V
detaljerad beskrivning

N-Channel 20V 7.9A (Tc) 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C

7.9A (Tc)

Relaterade nyheter
Frakt
Betalning

Vi har etablerat långsiktiga partnerskap med stora globala logistikleverantörer och erbjuder flexibla och effektiva fraktlösningar anpassade efter dina unika behov.Beroende på storlek, vikt och destination för din beställning väljer vi den mest lämpliga fraktbäraren.Vi tillhandahåller också realtidslogistikspårningstjänster, vilket gör att kunder kan förstå platsen och statusen för sina varor när som helst. Om du har specifika internationella fraktvägar eller en utsedd speditör, vänligen kontakta vårt säljteam-vi är glada att tillgodose dina krav.

Vi stöder flera betalningsmetoder, inklusive kreditkort, trådöverföringar och andra alternativ, och accepterar de flesta valutor.För beställningar som placeras i USD finns ytterligare betalningsalternativ tillgängliga.För mer information om betalningsmetoder och procedurer, vänligen kontakta vårt säljteam.

Följande är "SI3460DDV-T1-GE3" -relaterade produkter.

SI3460BDV-T1-E3

Beskrivning: MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay

I lager

SI3460DDV-T1-GE3

Begär offert

Referenspris (i amerikanska dollar)

TSMC: s intäkter i april ökade med 48,1% från år ti...

Det rapporteras att Nvidia kommer att släppa en nedgradera...

Sydkorea begär undantag från potentiella tullar på impor...

SENSOR+TEST 2025 A Global Stage for Innovation in Sensor an...

Indisk chiptillverkning lider av bakslag!Zoho och Adani har...

PCIM Europe 2025 Highlights

Samsungs OEM -verksamhet träffas igen, AMD ger upp att ant...

TI introduces latest innovations in edge AI, automotive and...

Semi: Q1 Global Silicon Wafer-transporter ökade med 2,2...

Semi ： Global Semiconductor Materials Market Intäkter vä...

TSMC: s 2NM-process defektdensitet träffar en ny låg, fö...

India invests $2.7 billion to boost local electronic compon...

Välj språk

Aktuellt språk