Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Transistorer - FET, MOSFET - Single > SI1072X-T1-GE3
RFQs/beställning (0)
Svenska
Svenska
4929184SI1072X-T1-GE3 bildElectro-Films (EFI) / Vishay

SI1072X-T1-GE3

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    SI1072X-T1-GE3
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    MOSFET N-CH 30V SC89
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Leverantörs Device Package
    SC-89-6
  • Serier
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    93 mOhm @ 1.3A, 10V
  • Effektdissipation (Max)
    236mW (Ta)
  • Förpackning
    Tape & Reel (TR)
  • Förpackning / Fodral
    SOT-563, SOT-666
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Monteringstyp
    Surface Mount
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
    280pF @ 15V
  • Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs
    8.3nC @ 10V
  • FET-typ
    N-Channel
  • FET-funktionen
    -
  • Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På)
    4.5V, 10V
  • Avlopp till källspänning (Vdss)
    30V
  • detaljerad beskrivning
    N-Channel 30V 236mW (Ta) Surface Mount SC-89-6
  • Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C
    -
SI1073X-T1-GE3

SI1073X-T1-GE3

Beskrivning: MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SI1080-A-GM

SI1080-A-GM

Beskrivning: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

tillverkare: Energy Micro (Silicon Labs)
I lager
SI1070X-T1-E3

SI1070X-T1-E3

Beskrivning: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SI1081-A-GM

SI1081-A-GM

Beskrivning: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

tillverkare: Energy Micro (Silicon Labs)
I lager
SI1080-A-GMR

SI1080-A-GMR

Beskrivning: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

tillverkare: Energy Micro (Silicon Labs)
I lager
SI1070X-T1-GE3

SI1070X-T1-GE3

Beskrivning:

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SI1078X-T1-GE3

SI1078X-T1-GE3

Beskrivning:

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SI1069X-T1-E3

SI1069X-T1-E3

Beskrivning: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SI1067X-T1-E3

SI1067X-T1-E3

Beskrivning: MOSFET P-CH 20V 1.06A SOT563F

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SI1067X-T1-GE3

SI1067X-T1-GE3

Beskrivning: MOSFET P-CH 20V 1.06A SC89-6

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SI1079X-T1-GE3

SI1079X-T1-GE3

Beskrivning: MOSFET P-CH 30V 1.44A SC89-6

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SI1081-A-GMR

SI1081-A-GMR

Beskrivning: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

tillverkare: Energy Micro (Silicon Labs)
I lager
SI1071X-T1-E3

SI1071X-T1-E3

Beskrivning: MOSFET P-CH 30V 0.96A SOT563F

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SI1082-A-GM

SI1082-A-GM

Beskrivning: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

tillverkare: Energy Micro (Silicon Labs)
I lager
SI1069X-T1-GE3

SI1069X-T1-GE3

Beskrivning: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SI1072X-T1-E3

SI1072X-T1-E3

Beskrivning: MOSFET N-CH 30V 1.3A SOT563F

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SI1065X-T1-GE3

SI1065X-T1-GE3

Beskrivning: MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SI1073X-T1-E3

SI1073X-T1-E3

Beskrivning: MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SI1077X-T1-GE3

SI1077X-T1-GE3

Beskrivning: MOSFET P-CH 20V SC89-6

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SI1071X-T1-GE3

SI1071X-T1-GE3

Beskrivning: MOSFET P-CH 30V 0.96A SC89-6

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta