Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Dioder - Rectifiers - Single > RS3DHE3_A/I
RFQs/beställning (0)
Svenska
Svenska
5510121RS3DHE3_A/I bildElectro-Films (EFI) / Vishay

RS3DHE3_A/I

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
3500+
$0.235
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    RS3DHE3_A/I
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Spänning - Framåt (Vf) (Max) @ Om
    1.3V @ 2.5A
  • Spänning - DC-omvänd (Vr) (Max)
    200V
  • Leverantörs Device Package
    DO-214AB (SMC)
  • Fart
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serier
    Automotive, AEC-Q101
  • Omvänd återställningstid (trr)
    150ns
  • Förpackning
    Tape & Reel (TR)
  • Förpackning / Fodral
    DO-214AB, SMC
  • Driftstemperatur - korsning
    -55°C ~ 150°C
  • Monteringstyp
    Surface Mount
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tillverkarens normala ledtid
    30 Weeks
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodtyp
    Standard
  • detaljerad beskrivning
    Diode Standard 200V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Ström - Omvänd läckage @ Vr
    10µA @ 200V
  • Aktuell - Genomsnittlig Rectified (Io)
    3A
  • Kapacitans @ Vr, F
    44pF @ 4V, 1MHz
  • Bas-delenummer
    RS3D
RS3DB-13-F

RS3DB-13-F

Beskrivning:

tillverkare: Diodes Incorporated
I lager
RS3D-M3/57T

RS3D-M3/57T

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
RS3D-M3/9AT

RS3D-M3/9AT

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
RS3DHR7G

RS3DHR7G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS3E075ATTB

RS3E075ATTB

Beskrivning: MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOP

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RS3D-E3/57T

RS3D-E3/57T

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
RS3D-13-F

RS3D-13-F

Beskrivning:

tillverkare: Diodes Incorporated
I lager
RS3DHE3_A/H

RS3DHE3_A/H

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
RS3DB-13

RS3DB-13

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 3A SMB

tillverkare: Diodes Incorporated
I lager
RS3G-13

RS3G-13

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 3A SMC

tillverkare: Diodes Incorporated
I lager
RS3G V7G

RS3G V7G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS3G R7G

RS3G R7G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS3G-13-F

RS3G-13-F

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 3A SMC

tillverkare: Diodes Incorporated
I lager
RS3E095BNGZETB

RS3E095BNGZETB

Beskrivning: MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RS3DHE3/57T

RS3DHE3/57T

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
RS3E135BNGZETB

RS3E135BNGZETB

Beskrivning: MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RS3D-E3/9AT

RS3D-E3/9AT

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
RS3G M6G

RS3G M6G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS3DHE3/9AT

RS3DHE3/9AT

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
RS3DHM6G

RS3DHM6G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta