Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Dioder - Rectifiers - Single > RS3B-M3/57T
RFQs/beställning (0)
Svenska
Svenska
3850275RS3B-M3/57T bildElectro-Films (EFI) / Vishay

RS3B-M3/57T

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
5100+
$0.171
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    RS3B-M3/57T
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Spänning - Framåt (Vf) (Max) @ Om
    1.3V @ 2.5A
  • Spänning - DC-omvänd (Vr) (Max)
    100V
  • Leverantörs Device Package
    DO-214AB (SMC)
  • Fart
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serier
    -
  • Omvänd återställningstid (trr)
    150ns
  • Förpackning
    Tape & Reel (TR)
  • Förpackning / Fodral
    DO-214AB, SMC
  • Driftstemperatur - korsning
    -55°C ~ 150°C
  • Monteringstyp
    Surface Mount
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tillverkarens normala ledtid
    30 Weeks
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodtyp
    Standard
  • detaljerad beskrivning
    Diode Standard 100V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Ström - Omvänd läckage @ Vr
    10µA @ 100V
  • Aktuell - Genomsnittlig Rectified (Io)
    3A
  • Kapacitans @ Vr, F
    34pF @ 4V, 1MHz
RS3BHE3_A/I

RS3BHE3_A/I

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
RS3BB-13

RS3BB-13

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 3A SMB

tillverkare: Diodes Incorporated
I lager
RS3BHR7G

RS3BHR7G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS3B-M3/9AT

RS3B-M3/9AT

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
RS3BHM6G

RS3BHM6G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS3BHE3/9AT

RS3BHE3/9AT

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
RS3BHE3/57T

RS3BHE3/57T

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
RS3AHR7G

RS3AHR7G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS3AHM6G

RS3AHM6G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS3B-E3/9AT

RS3B-E3/9AT

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
RS3D M6G

RS3D M6G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS3B R7G

RS3B R7G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS3B M6G

RS3B M6G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS3BB-13-F

RS3BB-13-F

Beskrivning:

tillverkare: Diodes Incorporated
I lager
RS3BHE3_A/H

RS3BHE3_A/H

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
RS3B-E3/57T

RS3B-E3/57T

Beskrivning:

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
RS3B V7G

RS3B V7G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS3AHE3_A/I

RS3AHE3_A/I

Beskrivning: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
RS3B-13-F

RS3B-13-F

Beskrivning:

tillverkare: Diodes Incorporated
I lager
RS3B-13

RS3B-13

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 3A SMC

tillverkare: Diodes Incorporated
I lager

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta