Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Dioder - Rectifiers - Single > RS1GHE3_A/I
RFQs/beställning (0)
Svenska
Svenska
6141779RS1GHE3_A/I bildElectro-Films (EFI) / Vishay

RS1GHE3_A/I

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
7500+
$0.101
15000+
$0.092
37500+
$0.086
52500+
$0.079
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    RS1GHE3_A/I
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Spänning - Framåt (Vf) (Max) @ Om
    1.3V @ 1A
  • Spänning - DC-omvänd (Vr) (Max)
    400V
  • Leverantörs Device Package
    DO-214AC (SMA)
  • Fart
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serier
    Automotive, AEC-Q101
  • Omvänd återställningstid (trr)
    150ns
  • Förpackning
    Tape & Reel (TR)
  • Förpackning / Fodral
    DO-214AC, SMA
  • Andra namn
    RS1GHE3_A/I-ND
    RS1GHE3_A/IGITR
  • Driftstemperatur - korsning
    -55°C ~ 150°C
  • Monteringstyp
    Surface Mount
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodtyp
    Standard
  • detaljerad beskrivning
    Diode Standard 400V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Ström - Omvänd läckage @ Vr
    5µA @ 400V
  • Aktuell - Genomsnittlig Rectified (Io)
    1A
  • Kapacitans @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz
  • Bas-delenummer
    RS1G
RS1GB-13-F

RS1GB-13-F

Beskrivning:

tillverkare: Diodes Incorporated
I lager
RS1GL RFG

RS1GL RFG

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS1GHE3/5AT

RS1GHE3/5AT

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
RS1GHM2G

RS1GHM2G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS1GL MQG

RS1GL MQG

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS1GFSHMWG

RS1GFSHMWG

Beskrivning: DIODE

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS1GHE3_A/H

RS1GHE3_A/H

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
RS1GFSHMXG

RS1GFSHMXG

Beskrivning: DIODE, FAST, 1A, 400V

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS1GHR3G

RS1GHR3G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS1GL M2G

RS1GL M2G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS1GFS MXG

RS1GFS MXG

Beskrivning: DIODE, FAST, 1A, 400V

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS1GFS MWG

RS1GFS MWG

Beskrivning: DIODE

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS1GL R3G

RS1GL R3G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS1GHE3/61T

RS1GHE3/61T

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
RS1GL MTG

RS1GL MTG

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS1GL RQG

RS1GL RQG

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS1GFA

RS1GFA

Beskrivning:

tillverkare: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
I lager
RS1GL RHG

RS1GL RHG

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS1GB-13

RS1GB-13

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 1A SMB

tillverkare: Diodes Incorporated
I lager
RS1GL MHG

RS1GL MHG

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta