Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Dioder - Rectifiers - Single > RS1BHE3_A/I
RFQs/beställning (0)
Svenska
Svenska
5038803RS1BHE3_A/I bildElectro-Films (EFI) / Vishay

RS1BHE3_A/I

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
7500+
$0.101
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    RS1BHE3_A/I
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Spänning - Framåt (Vf) (Max) @ Om
    1.3V @ 1A
  • Spänning - DC-omvänd (Vr) (Max)
    100V
  • Leverantörs Device Package
    DO-214AC (SMA)
  • Fart
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serier
    Automotive, AEC-Q101
  • Omvänd återställningstid (trr)
    150ns
  • Förpackning
    Tape & Reel (TR)
  • Förpackning / Fodral
    DO-214AC, SMA
  • Driftstemperatur - korsning
    -55°C ~ 150°C
  • Monteringstyp
    Surface Mount
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodtyp
    Standard
  • detaljerad beskrivning
    Diode Standard 100V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Ström - Omvänd läckage @ Vr
    5µA @ 100V
  • Aktuell - Genomsnittlig Rectified (Io)
    1A
  • Kapacitans @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz
  • Bas-delenummer
    RS1B
RS1BFA

RS1BFA

Beskrivning: DIODE GP 100V 800MA SOD123FA

tillverkare: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
I lager
RS1B-M3/61T

RS1B-M3/61T

Beskrivning: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
RS1B/11

RS1B/11

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
RS1BL MQG

RS1BL MQG

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS1BB-13-F

RS1BB-13-F

Beskrivning:

tillverkare: Diodes Incorporated
I lager
RS1BL RHG

RS1BL RHG

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS1B-M3/5AT

RS1B-M3/5AT

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
RS1BL MTG

RS1BL MTG

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS1BL RQG

RS1BL RQG

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS1BL R3G

RS1BL R3G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS1BB-13

RS1BB-13

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 1A SMB

tillverkare: Diodes Incorporated
I lager
RS1BHE3/5AT

RS1BHE3/5AT

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
RS1BL RFG

RS1BL RFG

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS1BHE3/61T

RS1BHE3/61T

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
RS1BL M2G

RS1BL M2G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS1BHR3G

RS1BHR3G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS1BL MHG

RS1BL MHG

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS1BHE3_A/H

RS1BHE3_A/H

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
RS1B-E3/61T

RS1B-E3/61T

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
RS1BHM2G

RS1BHM2G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta