Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Dioder - Rectifiers - Single > NSB8MT-E3/45
RFQs/beställning (0)
Svenska
3148695NSB8MT-E3/45 bildElectro-Films (EFI) / Vishay

NSB8MT-E3/45

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
1000+
$0.483
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    NSB8MT-E3/45
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Spänning - Framåt (Vf) (Max) @ Om
    1.1V @ 8A
  • Spänning - DC-omvänd (Vr) (Max)
    1000V
  • Leverantörs Device Package
    TO-263AB
  • Fart
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serier
    -
  • Förpackning
    Tube
  • Förpackning / Fodral
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Driftstemperatur - korsning
    -55°C ~ 150°C
  • Monteringstyp
    Surface Mount
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tillverkarens normala ledtid
    32 Weeks
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodtyp
    Standard
  • detaljerad beskrivning
    Diode Standard 1000V 8A Surface Mount TO-263AB
  • Ström - Omvänd läckage @ Vr
    10µA @ 1000V
  • Aktuell - Genomsnittlig Rectified (Io)
    8A
  • Kapacitans @ Vr, F
    55pF @ 4V, 1MHz
  • Bas-delenummer
    NSB8M
NSB8JTHE3/81

NSB8JTHE3/81

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
NSB8MTHE3/45

NSB8MTHE3/45

Beskrivning: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
NSB8KTHE3/81

NSB8KTHE3/81

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
NSB8JTHE3_A/I

NSB8JTHE3_A/I

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
NSB9703

NSB9703

Beskrivning: COMMON POINT GND CORD 10MM 10'

tillverkare: Desco
I lager
NSBA113EF3T5G

NSBA113EF3T5G

Beskrivning: TRANS PREBIAS DUAL PNP

tillverkare: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
I lager
NSB8MTHE3_A/P

NSB8MTHE3_A/P

Beskrivning: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
NSB8MTHE3_A/I

NSB8MTHE3_A/I

Beskrivning: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
NSBA113EDXV6T1

NSBA113EDXV6T1

Beskrivning: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

tillverkare: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
I lager
NSB8KTHE3_A/P

NSB8KTHE3_A/P

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
NSB8KT-E3/81

NSB8KT-E3/81

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
NSB8KTHE3_A/I

NSB8KTHE3_A/I

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
NSB8JTHE3_A/P

NSB8JTHE3_A/P

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
NSB8MT-E3/81

NSB8MT-E3/81

Beskrivning: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
NSBA113EDXV6T1G

NSBA113EDXV6T1G

Beskrivning: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT563

tillverkare: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
I lager
NSB8MTHE3/81

NSB8MTHE3/81

Beskrivning: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
NSB8KTHE3/45

NSB8KTHE3/45

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
NSB8JTHE3/45

NSB8JTHE3/45

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
NSB9435T1G

NSB9435T1G

Beskrivning: TRANS PREBIAS PNP 0.72W SOT223

tillverkare: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
I lager
NSB8KT-E3/45

NSB8KT-E3/45

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager

Review (1)

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta