Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Dioder - Rectifiers - Single > ES3GHE3_A/I
RFQs/beställning (0)
Svenska
Svenska
5065533ES3GHE3_A/I bildElectro-Films (EFI) / Vishay

ES3GHE3_A/I

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
3500+
$0.305
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    ES3GHE3_A/I
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Spänning - Framåt (Vf) (Max) @ Om
    1.1V @ 3A
  • Spänning - DC-omvänd (Vr) (Max)
    400V
  • Leverantörs Device Package
    DO-214AB (SMC)
  • Fart
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serier
    Automotive, AEC-Q101
  • Omvänd återställningstid (trr)
    50ns
  • Förpackning
    Tape & Reel (TR)
  • Förpackning / Fodral
    DO-214AB, SMC
  • Driftstemperatur - korsning
    -55°C ~ 150°C
  • Monteringstyp
    Surface Mount
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tillverkarens normala ledtid
    53 Weeks
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodtyp
    Standard
  • detaljerad beskrivning
    Diode Standard 400V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Ström - Omvänd läckage @ Vr
    10µA @ 400V
  • Aktuell - Genomsnittlig Rectified (Io)
    3A
  • Kapacitans @ Vr, F
    30pF @ 4V, 1MHz
  • Bas-delenummer
    ES3G
ES3GHE3_A/H

ES3GHE3_A/H

Beskrivning:

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
ES3J M6G

ES3J M6G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
ES3GHM6G

ES3GHM6G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
ES3HBHM4G

ES3HBHM4G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AA

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
ES3GHE3/57T

ES3GHE3/57T

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
ES3GB R5G

ES3GB R5G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
ES3GBHM4G

ES3GBHM4G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
ES3G-M3/57T

ES3G-M3/57T

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
ES3HB R5G

ES3HB R5G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AA

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
ES3HM6G

ES3HM6G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
ES3GHR7G

ES3GHR7G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
ES3GB M4G

ES3GB M4G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
ES3HBHR5G

ES3HBHR5G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AA

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
ES3HB M4G

ES3HB M4G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AA

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
ES3G-M3/9AT

ES3G-M3/9AT

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
ES3G-E3/9AT

ES3G-E3/9AT

Beskrivning:

tillverkare: VISHAY
I lager
ES3J

ES3J

Beskrivning:

tillverkare: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
I lager
ES3GHE3/9AT

ES3GHE3/9AT

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
ES3GBHR5G

ES3GBHR5G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
ES3HR7G

ES3HR7G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta