Hem > Produkter > Integrerade kretsar (ICS) > Minne > AS4C32M16SA-7TIN
RFQs/beställning (0)
Svenska
Svenska
448927AS4C32M16SA-7TIN bildAlliance Memory, Inc.

AS4C32M16SA-7TIN

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
1+
$17.24
10+
$15.968
25+
$15.746
50+
$15.553
108+
$13.63
324+
$13.041
540+
$12.954
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    AS4C32M16SA-7TIN
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Skriv cykeltid - Word, Page
    2ns
  • Spänning - Tillförsel
    3 V ~ 3.6 V
  • Teknologi
    SDRAM
  • Leverantörs Device Package
    54-TSOP II
  • Serier
    -
  • Förpackning
    Tray
  • Förpackning / Fodral
    54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Andra namn
    1450-1118
    AS4C32M16SA-7TIN-ND
  • Driftstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Monteringstyp
    Surface Mount
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Minnetyp
    Volatile
  • Minnesstorlek
    512Mb (32M x 16)
  • Minnesgränssnitt
    Parallel
  • Minnesformat
    DRAM
  • Tillverkarens normala ledtid
    8 Weeks
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaljerad beskrivning
    SDRAM Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 143MHz 5.4ns 54-TSOP II
  • Klockfrekvens
    143MHz
  • Åtkomsttid
    5.4ns
AS4C32M16SA-7BCNTR

AS4C32M16SA-7BCNTR

Beskrivning: IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C32M16SB-6TINTR

AS4C32M16SB-6TINTR

Beskrivning: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C32M16MS-7BCN

AS4C32M16MS-7BCN

Beskrivning: IC DRAM 512M PARALLEL 54BGA

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C32M16SM-7TIN

AS4C32M16SM-7TIN

Beskrivning: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C32M16SB-7TCN

AS4C32M16SB-7TCN

Beskrivning: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C32M16SB-7TINTR

AS4C32M16SB-7TINTR

Beskrivning: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C32M16SM-7TCNTR

AS4C32M16SM-7TCNTR

Beskrivning: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C32M16SA-7BCN

AS4C32M16SA-7BCN

Beskrivning: IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C32M16SA-7TCNTR

AS4C32M16SA-7TCNTR

Beskrivning: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C32M16SB-7TCNTR

AS4C32M16SB-7TCNTR

Beskrivning: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C32M16SM-7TCN

AS4C32M16SM-7TCN

Beskrivning: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C32M16SB-7TIN

AS4C32M16SB-7TIN

Beskrivning: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C32M16MSA-6BINTR

AS4C32M16MSA-6BINTR

Beskrivning: IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C32M16MS-7BCNTR

AS4C32M16MS-7BCNTR

Beskrivning: IC DRAM 512M PARALLEL 54BGA

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C32M16SA-7BINTR

AS4C32M16SA-7BINTR

Beskrivning: IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C32M16MSA-6BIN

AS4C32M16MSA-6BIN

Beskrivning: IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C32M16SA-7BIN

AS4C32M16SA-7BIN

Beskrivning: IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C32M16SA-7TINTR

AS4C32M16SA-7TINTR

Beskrivning: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C32M16SA-7TCN

AS4C32M16SA-7TCN

Beskrivning: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C32M16SB-6TIN

AS4C32M16SB-6TIN

Beskrivning: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta