Hem > Produkter > Integrerade kretsar (ICS) > Minne > AS4C16M32MD1-5BIN
RFQs/beställning (0)
Svenska
Svenska
1215506AS4C16M32MD1-5BIN bildAlliance Memory, Inc.

AS4C16M32MD1-5BIN

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
160+
$4.095
320+
$4.079
640+
$3.825
1120+
$3.662
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    AS4C16M32MD1-5BIN
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Skriv cykeltid - Word, Page
    15ns
  • Spänning - Tillförsel
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Teknologi
    SDRAM - Mobile LPDDR
  • Leverantörs Device Package
    90-FBGA (8x13)
  • Serier
    -
  • Förpackning
    Tray
  • Förpackning / Fodral
    90-VFBGA
  • Andra namn
    1450-1121
  • Driftstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TJ)
  • Monteringstyp
    Surface Mount
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Minnetyp
    Volatile
  • Minnesstorlek
    512Mb (16M x 32)
  • Minnesgränssnitt
    Parallel
  • Minnesformat
    DRAM
  • Tillverkarens normala ledtid
    8 Weeks
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaljerad beskrivning
    SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 200MHz 5ns 90-FBGA (8x13)
  • Klockfrekvens
    200MHz
  • Åtkomsttid
    5ns
AS4C1G8MD3L-12BCN

AS4C1G8MD3L-12BCN

Beskrivning: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C16M16SA-6TIN

AS4C16M16SA-6TIN

Beskrivning: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C16M32MSA-6BIN

AS4C16M32MSA-6BIN

Beskrivning: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C16M16SA-6TCN

AS4C16M16SA-6TCN

Beskrivning: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C16M32MD1-5BINTR

AS4C16M32MD1-5BINTR

Beskrivning: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C16M16SA-7BCNTR

AS4C16M16SA-7BCNTR

Beskrivning: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C16M32MS-6BIN

AS4C16M32MS-6BIN

Beskrivning: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C16M32MSA-6BINTR

AS4C16M32MSA-6BINTR

Beskrivning: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C16M16SA-7TCNTR

AS4C16M16SA-7TCNTR

Beskrivning: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C16M16SA-7TCN

AS4C16M16SA-7TCN

Beskrivning: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C16M32MD1-5BCNTR

AS4C16M32MD1-5BCNTR

Beskrivning: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C16M16SA-6TCNTR

AS4C16M16SA-6TCNTR

Beskrivning: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C16M16SA-7BCN

AS4C16M16SA-7BCN

Beskrivning: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C16M32MS-7BCNTR

AS4C16M32MS-7BCNTR

Beskrivning: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C16M32MD1-5BCN

AS4C16M32MD1-5BCN

Beskrivning: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C16M32MS-6BINTR

AS4C16M32MS-6BINTR

Beskrivning: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C1G8MD3L-12BCNTR

AS4C1G8MD3L-12BCNTR

Beskrivning: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C16M32MS-7BCN

AS4C16M32MS-7BCN

Beskrivning: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C1M16S-6TCN

AS4C1M16S-6TCN

Beskrivning: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C16M16SA-6TINTR

AS4C16M16SA-6TINTR

Beskrivning: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta