SIHB12N65E-GE3

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager

1000+

$1.373

Förfrågan Online

Specifikationer

Artikelnummer

SIHB12N65E-GE3
Tillverkare / Brand

Vishay / Siliconix
Lagerkvantitet

I lager
Beskrivning

MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Ledningsfri status / RoHS-status

Blyfri / Överensstämmer med RoHS
Datablad

SIHB12N65E-GE3.pdf
Ecad -modell
Spänning - Test

1224pF @ 100V
Spänning - Uppdelning

D²PAK (TO-263)
Vgs (th) (Max) @ Id

380 mOhm @ 6A, 10V
Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)
Serier

-
RoHS-status

Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs

12A (Tc)
Polarisering

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp

Surface Mount
Fuktkänslighetsnivå (MSL)

1 (Unlimited)
Tillverkarens normala ledtid

19 Weeks
Tillverkarens varunummer

SIHB12N65E-GE3
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

70nC @ 10V
Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs

4V @ 250µA
FET-funktionen

N-Channel
Utvidgad beskrivning

N-Channel 650V 12A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Avlopp till källspänning (Vdss)

-
Beskrivning

MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C

650V
Kapacitansförhållande

156W (Tc)

Relaterade nyheter
Frakt
Betalning

Vi har etablerat långsiktiga partnerskap med stora globala logistikleverantörer och erbjuder flexibla och effektiva fraktlösningar anpassade efter dina unika behov.Beroende på storlek, vikt och destination för din beställning väljer vi den mest lämpliga fraktbäraren.Vi tillhandahåller också realtidslogistikspårningstjänster, vilket gör att kunder kan förstå platsen och statusen för sina varor när som helst. Om du har specifika internationella fraktvägar eller en utsedd speditör, vänligen kontakta vårt säljteam-vi är glada att tillgodose dina krav.

Vi stöder flera betalningsmetoder, inklusive kreditkort, trådöverföringar och andra alternativ, och accepterar de flesta valutor.För beställningar som placeras i USD finns ytterligare betalningsalternativ tillgängliga.För mer information om betalningsmetoder och procedurer, vänligen kontakta vårt säljteam.

Följande är "SIHB12N65E-GE3" -relaterade produkter.

SIHA4N80E-GE3

Beskrivning: MOSFET N-CHAN 800V FP TO-220

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay

I lager

SIHB12N65E-GE3

Begär offert

Referenspris (i amerikanska dollar)

Foxconn investerar 1,5 miljarder dollar för att utöka sin...

Institution: Tillverkningssvårigheten för HBM4 har ökat ...

Crusoe Texas Data Center samlar in 11,6 miljarder dollar i ...

Siemens förvärvar EDA Software Developer Excellicon

SEMICON Southeast Asia 2025 Kicks Off in Singapore

De fem stora NAND -tillverkarna har samtidigt minskat produ...

Qualcomm kommer att återvända till Data Center CPU -markn...

SK Siltrons första kvartalsförsäljning av SK Hynix Silic...

IPhone -leverantören TDK förbereder sig för att tillhand...

Sydkorea kommer att bygga en AI -specifik superdator utrust...

AMD 、 Saudiarabien planerar att spendera 10 miljarder doll...

Den amerikanska regeringen överväger att sälja hundratus...

Review (1)

Stal***e

Quick inquiry

Välj språk

Aktuellt språk