Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Transistorer - Bipolär (BJT) - Single, Pre-Biased > RN1424TE85LF
RFQs/beställning (0)
Svenska
3054870

RN1424TE85LF

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
3000+
$0.095
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    RN1424TE85LF
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Spänning - Samlare Emitter Breakdown (Max)
    50V
  • Vce Mättnad (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 1mA, 50mA
  • Transistortyp
    NPN - Pre-Biased
  • Leverantörs Device Package
    S-Mini
  • Serier
    -
  • Motstånd - Emitterbas (R2)
    10 kOhms
  • Motstånd - Bas (R1)
    10 kOhms
  • Effekt - Max
    200mW
  • Förpackning
    Tape & Reel (TR)
  • Förpackning / Fodral
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Andra namn
    RN1424(TE85L,F)
  • Monteringstyp
    Surface Mount
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tillverkarens normala ledtid
    11 Weeks
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frekvens - Övergång
    300MHz
  • detaljerad beskrivning
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 800mA 300MHz 200mW Surface Mount S-Mini
  • Likströmsstigning (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    90 @ 100mA, 1V
  • Nuvarande - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Nuvarande - Samlare (Ic) (Max)
    800mA
  • Bas-delenummer
    RN142*
RN1423TE85LF

RN1423TE85LF

Beskrivning: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

tillverkare: Toshiba Semiconductor and Storage
I lager
RN142-4-02-3M3

RN142-4-02-3M3

Beskrivning: CMC 3.3MH 4A 2LN TH

tillverkare: Schaffner EMC, Inc.
I lager
RN142-2-02-6M8

RN142-2-02-6M8

Beskrivning: CMC 6.8MH 2A 2LN TH

tillverkare: Schaffner EMC, Inc.
I lager
RN142VTE-17

RN142VTE-17

Beskrivning: DIODE PIN 60V UMD

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RN1427TE85LF

RN1427TE85LF

Beskrivning: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

tillverkare: Toshiba Semiconductor and Storage
I lager
RN142-6-02-1M8

RN142-6-02-1M8

Beskrivning: CMC 1.8MH 6A 2LN TH

tillverkare: Schaffner EMC, Inc.
I lager
RN142-2-02

RN142-2-02

Beskrivning: CMC 6.8MH 2A 2LN TH

tillverkare: Schaffner EMC, Inc.
I lager
RN1426TE85LF

RN1426TE85LF

Beskrivning: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

tillverkare: Toshiba Semiconductor and Storage
I lager
RN142-6-02

RN142-6-02

Beskrivning: CMC 1.8MH 6A 2LN TH

tillverkare: Schaffner EMC, Inc.
I lager
RN142GT2R

RN142GT2R

Beskrivning: DIODE PIN 60V 100MA VMD2

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RN142ZST2R

RN142ZST2R

Beskrivning: DIODE PIN 30V 50MA GMD2

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RN1422TE85LF

RN1422TE85LF

Beskrivning: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

tillverkare: Toshiba Semiconductor and Storage
I lager
RN143-0.5-02

RN143-0.5-02

Beskrivning: CMC 100MH 500MA 2LN TH

tillverkare: Schaffner EMC, Inc.
I lager
RN142ZS12ATE61

RN142ZS12ATE61

Beskrivning: DIODE PIN HF SW 30V 50MA HMD12

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RN142ZS8ATE61

RN142ZS8ATE61

Beskrivning: DIODE PIN HF SW 30V 50MA HMD8

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RN142STE61

RN142STE61

Beskrivning: DIODE PIN 60V 100MA EMD2 TR

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RN1421TE85LF

RN1421TE85LF

Beskrivning: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

tillverkare: Toshiba Semiconductor and Storage
I lager
RN142-4-02

RN142-4-02

Beskrivning: CMC 3.3MH 4A 2LN TH

tillverkare: Schaffner EMC, Inc.
I lager
RN1425TE85LF

RN1425TE85LF

Beskrivning:

tillverkare: Toshiba Semiconductor and Storage
I lager
RN142-1.4-02-27M

RN142-1.4-02-27M

Beskrivning: CMC 27MH 1.4A 2LN TH

tillverkare: Schaffner EMC, Inc.
I lager

Review (1)

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta