Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Dioder - Rectifiers - Single > S8KC V7G
RFQs/beställning (0)
Svenska
2153312S8KC V7G bildTSC (Taiwan Semiconductor)

S8KC V7G

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
850+
$0.176
1700+
$0.159
2550+
$0.146
5950+
$0.137
21250+
$0.128
42500+
$0.118
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    S8KC V7G
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    DIODE GEN PURP 800V 8A DO214AB
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Spänning - Framåt (Vf) (Max) @ Om
    985mV @ 8A
  • Spänning - DC-omvänd (Vr) (Max)
    800V
  • Leverantörs Device Package
    DO-214AB (SMC)
  • Fart
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serier
    -
  • Förpackning
    Tape & Reel (TR)
  • Förpackning / Fodral
    DO-214AB, SMC
  • Andra namn
    S8KC V7GTR
    S8KC V7GTR-ND
    S8KCV7G
    S8KCV7GTR
  • Driftstemperatur - korsning
    -55°C ~ 150°C
  • Monteringstyp
    Surface Mount
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tillverkarens normala ledtid
    6 Weeks
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodtyp
    Standard
  • detaljerad beskrivning
    Diode Standard 800V 8A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Ström - Omvänd läckage @ Vr
    10µA @ 800V
  • Aktuell - Genomsnittlig Rectified (Io)
    8A
  • Kapacitans @ Vr, F
    48pF @ 4V, 1MHz
A170RP

A170RP

Beskrivning: DIODE GEN PURP 1KV 100A DO205

tillverkare: Powerex, Inc.
I lager
ES3BHR7G

ES3BHR7G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
MBRB2515L

MBRB2515L

Beskrivning: DIODE SCHOTTKY 15V 25A D2PAK

tillverkare: ON Semiconductor
I lager
DL4151-TP

DL4151-TP

Beskrivning: DIODE GP 75V 150MA MINI MELF

tillverkare: Micro Commercial Components (MCC)
I lager
HS5J M6G

HS5J M6G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
S3BHE3/57T

S3BHE3/57T

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
S8KC R7G

S8KC R7G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 8A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
SS3P4L-E3/86A

SS3P4L-E3/86A

Beskrivning: DIODE SCHOTTKY 40V 3A TO277A

tillverkare: Vishay Semiconductor Diodes Division
I lager
S8KC M6G

S8KC M6G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 8A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
S8KC-13

S8KC-13

Beskrivning:

tillverkare: Diodes Incorporated
I lager
MPG06JHE3/73

MPG06JHE3/73

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 1A MPG06

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
S8KC V6G

S8KC V6G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 8A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
US1M-13-F

US1M-13-F

Beskrivning:

tillverkare: Diodes Incorporated
I lager
S8KCHR7G

S8KCHR7G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 8A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
SFAF2003GHC0G

SFAF2003GHC0G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 150V 20A ITO220AC

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
BYT51G-TAP

BYT51G-TAP

Beskrivning: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A SOD57

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
BYWB29-200HE3/45

BYWB29-200HE3/45

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
GPA807-BP

GPA807-BP

Beskrivning: DIODE GPP 8A TO220AC

tillverkare: Micro Commercial Components (MCC)
I lager
S8KCHM6G

S8KCHM6G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 8A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
1N4936-E3/53

1N4936-E3/53

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta