Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Dioder - Rectifiers - Single > S4J M6G
RFQs/beställning (0)
Svenska
725990S4J M6G bildTSC (Taiwan Semiconductor)

S4J M6G

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
6000+
$0.141
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    S4J M6G
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Spänning - Framåt (Vf) (Max) @ Om
    1.15V @ 4A
  • Spänning - DC-omvänd (Vr) (Max)
    600V
  • Leverantörs Device Package
    DO-214AB (SMC)
  • Fart
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serier
    -
  • Omvänd återställningstid (trr)
    1.5µs
  • Förpackning
    Tape & Reel (TR)
  • Förpackning / Fodral
    DO-214AB, SMC
  • Andra namn
    S4J M6G-ND
    S4JM6G
  • Driftstemperatur - korsning
    -55°C ~ 150°C
  • Monteringstyp
    Surface Mount
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodtyp
    Standard
  • detaljerad beskrivning
    Diode Standard 600V 4A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Ström - Omvänd läckage @ Vr
    100µA @ 600V
  • Aktuell - Genomsnittlig Rectified (Io)
    4A
  • Kapacitans @ Vr, F
    60pF @ 4V, 1MHz
RB751G-40T2R

RB751G-40T2R

Beskrivning:

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
S4J R7G

S4J R7G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
VS-4EWH02FNTRR-M3

VS-4EWH02FNTRR-M3

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 4A D-PAK

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
1N5291-1

1N5291-1

Beskrivning: CURRENT REGULATOR DIODE

tillverkare: Microsemi
I lager
LSM315GE3/TR13

LSM315GE3/TR13

Beskrivning: DIODE SCHOTTKY 15V 3A DO215AB

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5621

JAN1N5621

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
RS3DHR7G

RS3DHR7G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
S4J V7G

S4J V7G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
GSXD300A170S2D5

GSXD300A170S2D5

Beskrivning: DIODE GP 1.7KV 300A ADD-A-PAK

tillverkare: Global Power Technologies Group
I lager
SK520CHR7G

SK520CHR7G

Beskrivning: DIODE SCHOTTKY 200V 5A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
BAS34-TR

BAS34-TR

Beskrivning: DIODE GEN PURP 60V 200MA DO35

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
S4J V6G

S4J V6G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
SR1202HA0G

SR1202HA0G

Beskrivning: DIODE SCHOTTKY 20V 12A DO201AD

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RSX205LAM30TFTR

RSX205LAM30TFTR

Beskrivning: AUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
SCHF7500

SCHF7500

Beskrivning: DIODE GEN PURP 7.5KV 500MA AXIAL

tillverkare: Semtech
I lager
VIT3060G-M3/4W

VIT3060G-M3/4W

Beskrivning: DIODE SCHOTTKY 60V 15A TO262AA

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
JANTXV1N5551

JANTXV1N5551

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 5A

tillverkare: Microsemi
I lager
RS2DHE3_A/I

RS2DHE3_A/I

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AA

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
CS2K-E3/I

CS2K-E3/I

Beskrivning: DIODE GPP 2A 800V DO-214AA SMB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
VS-72HFR10

VS-72HFR10

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 70A DO203AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager

Review (1)

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta