Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Dioder - Rectifiers - Single > 1N4006G A0G
RFQs/beställning (0)
Svenska
20338271N4006G A0G bildTSC (Taiwan Semiconductor)

1N4006G A0G

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
21000+
$0.028
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    1N4006G A0G
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Spänning - Framåt (Vf) (Max) @ Om
    1V @ 1A
  • Spänning - DC-omvänd (Vr) (Max)
    800V
  • Leverantörs Device Package
    DO-204AL (DO-41)
  • Fart
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serier
    -
  • Förpackning
    Tape & Box (TB)
  • Förpackning / Fodral
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Andra namn
    1N4006G A0G-ND
    1N4006GA0G
  • Driftstemperatur - korsning
    -55°C ~ 150°C
  • Monteringstyp
    Through Hole
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tillverkarens normala ledtid
    12 Weeks
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodtyp
    Standard
  • detaljerad beskrivning
    Diode Standard 800V 1A Through Hole DO-204AL (DO-41)
  • Ström - Omvänd läckage @ Vr
    5µA @ 800V
  • Aktuell - Genomsnittlig Rectified (Io)
    1A
  • Kapacitans @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz
1N4006G-T

1N4006G-T

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

tillverkare: Diodes Incorporated
I lager
1N4006G BK

1N4006G BK

Beskrivning: DIODE GEN PURPOSE DO41

tillverkare: Central Semiconductor
I lager
1N4006GHA0G

1N4006GHA0G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
1N4006FFG

1N4006FFG

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

tillverkare: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
I lager
1N4006GL-T

1N4006GL-T

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

tillverkare: Diodes Incorporated
I lager
1N4006B-G

1N4006B-G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

tillverkare: Comchip Technology
I lager
1N4006GHR1G

1N4006GHR1G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
1N4006FF

1N4006FF

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

tillverkare: ON Semiconductor
I lager
1N4006G R0G

1N4006G R0G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
1N4006G

1N4006G

Beskrivning:

tillverkare: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
I lager
1N4006E-E3/54

1N4006E-E3/54

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
1N4006/54

1N4006/54

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
1N4006GHR0G

1N4006GHR0G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
1N4006G

1N4006G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

tillverkare: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
I lager
1N4006G R1G

1N4006G R1G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
1N4006G B0G

1N4006G B0G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
1N4006-T

1N4006-T

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

tillverkare: Diodes Incorporated
I lager
1N4006-TP

1N4006-TP

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

tillverkare: Micro Commercial Components (MCC)
I lager
1N4006GHB0G

1N4006GHB0G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
1N4006E-E3/73

1N4006E-E3/73

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager

Review (1)

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta