Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Transistorer - FET, MOSFET - Single > STP33N60M2
Begär offert
Svenska
3173671STP33N60M2 bildST

STP33N60M2

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
1+
$2.125
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    STP33N60M2
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Leverantörs Device Package
    TO-220
  • Serier
    MDmesh™ II Plus
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    125 mOhm @ 13A, 10V
  • Effektdissipation (Max)
    190W (Tc)
  • Förpackning
    Tube
  • Förpackning / Fodral
    TO-220-3
  • Andra namn
    497-14221-5
    STP33N60M2-ND
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Monteringstyp
    Through Hole
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tillverkarens normala ledtid
    42 Weeks
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
    1781pF @ 100V
  • Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs
    45.5nC @ 10V
  • FET-typ
    N-Channel
  • FET-funktionen
    -
  • Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På)
    10V
  • Avlopp till källspänning (Vdss)
    600V
  • detaljerad beskrivning
    N-Channel 600V 26A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220
  • Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C
    26A (Tc)
QTE-060-04-L-D-LC-TR

QTE-060-04-L-D-LC-TR

Beskrivning: .8MM DOUBLE ROW MI TERMINAL ASSE

tillverkare: Samtec, Inc.
I lager

Review (1)

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta