Hem > Produkter > Kretsskydd > TVS - Dioder > MAP6KE82AE3
RFQs/beställning (0)
Svenska
4966291

MAP6KE82AE3

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    MAP6KE82AE3
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    TVS DIODE 70.1V 113V T-18
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Innehåller lednings- / RoHS-överensstämmelse
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Spänning - Reverse Standoff (Typ)
    70.1V
  • Spänning - Klämma (Max) @ Ipp
    113V
  • Spänning - Uppdelning (Min)
    77.9V
  • Envärdiga kanaler
    1
  • Typ
    Zener
  • Leverantörs Device Package
    T-18
  • Serier
    Military, MIL-PRF-19500
  • Power Line Protection
    No
  • Power - Peak Pulse
    600W
  • Förpackning
    Bulk
  • Förpackning / Fodral
    T-18, Axial
  • Andra namn
    1086-4610
    1086-4610-MIL
  • Driftstemperatur
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Monteringstyp
    Through Hole
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Aktuell - Peak Pulse (10 / 1000μs)
    5.3A
  • Kapacitans @ Frekvens
    -
  • tillämpningar
    General Purpose
MAP6KE91CA

MAP6KE91CA

Beskrivning: TVS DIODE 77.8V 125V T-18

tillverkare: Microsemi
I lager
MAP6KE7.5CAE3

MAP6KE7.5CAE3

Beskrivning: TVS DIODE 6.4V 11.3V T-18

tillverkare: Microsemi
I lager
MAP6KE9.1A

MAP6KE9.1A

Beskrivning: TVS DIODE 7.78V 13.4V T-18

tillverkare: Microsemi
I lager
MAP6KE8.2A

MAP6KE8.2A

Beskrivning: TVS DIODE 7.02V 12.1V T-18

tillverkare: Microsemi
I lager
MAP6KE75CAE3

MAP6KE75CAE3

Beskrivning: TVS DIODE 64.1V 103V T-18

tillverkare: Microsemi
I lager
MAP6KE82A

MAP6KE82A

Beskrivning: TVS DIODE 70.1V 113V T-18

tillverkare: Microsemi
I lager
MAP6KE9.1AE3

MAP6KE9.1AE3

Beskrivning: TVS DIODE 7.78V 13.4V T-18

tillverkare: Microsemi
I lager
MAP6KE8.2AE3

MAP6KE8.2AE3

Beskrivning: TVS DIODE 7.02V 12.1V T-18

tillverkare: Microsemi
I lager
MAP6KE8.2CAE3

MAP6KE8.2CAE3

Beskrivning: TVS DIODE 7.02V 12.1V T-18

tillverkare: Microsemi
I lager
MAP6KE9.1CAE3

MAP6KE9.1CAE3

Beskrivning: TVS DIODE 7.78V 13.4V T-18

tillverkare: Microsemi
I lager
MAP6KE91AE3

MAP6KE91AE3

Beskrivning: TVS DIODE 77.8V 125V T-18

tillverkare: Microsemi
I lager
MAP6KE91CAE3

MAP6KE91CAE3

Beskrivning: TVS DIODE 77.8V 125V T-18

tillverkare: Microsemi
I lager
MAP6KE82CAE3

MAP6KE82CAE3

Beskrivning: TVS DIODE 70.1V 113V T-18

tillverkare: Microsemi
I lager
MAP6KE8.2CA

MAP6KE8.2CA

Beskrivning: TVS DIODE 7.02V 12.1V T-18

tillverkare: Microsemi
I lager
MAP6KE82CA

MAP6KE82CA

Beskrivning: TVS DIODE 70.1V 113V T-18

tillverkare: Microsemi
I lager
MAP6KE75AE3

MAP6KE75AE3

Beskrivning: TVS DIODE 64.1V 103V T-18

tillverkare: Microsemi
I lager
MAP6KE91A

MAP6KE91A

Beskrivning: TVS DIODE 77.8V 125V T-18

tillverkare: Microsemi
I lager
MAP6KE75CA

MAP6KE75CA

Beskrivning: TVS DIODE 64.1V 103V T-18

tillverkare: Microsemi
I lager
MAP6KE9.1CA

MAP6KE9.1CA

Beskrivning: TVS DIODE 7.78V 13.4V T-18

tillverkare: Microsemi
I lager
MAP6KE75A

MAP6KE75A

Beskrivning: TVS DIODE 64.1V 103V T-18

tillverkare: Microsemi
I lager

Review (1)

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta