Hem > Produkter > Kretsskydd > TVS - Dioder > MAP6KE36A
RFQs/beställning (0)
Svenska
4222066

MAP6KE36A

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    MAP6KE36A
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    TVS DIODE 30.8V 49.9V T-18
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Innehåller lednings- / RoHS-överensstämmelse
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Spänning - Reverse Standoff (Typ)
    30.8V
  • Spänning - Klämma (Max) @ Ipp
    49.9V
  • Spänning - Uppdelning (Min)
    34.2V
  • Envärdiga kanaler
    1
  • Typ
    Zener
  • Leverantörs Device Package
    T-18
  • Serier
    Military, MIL-PRF-19500
  • Power Line Protection
    No
  • Power - Peak Pulse
    600W
  • Förpackning
    Bulk
  • Förpackning / Fodral
    T-18, Axial
  • Andra namn
    1086-4561
    1086-4561-MIL
  • Driftstemperatur
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Monteringstyp
    Through Hole
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Aktuell - Peak Pulse (10 / 1000μs)
    12A
  • Kapacitans @ Frekvens
    -
  • tillämpningar
    General Purpose
MAP6KE30AE3

MAP6KE30AE3

Beskrivning: TVS DIODE 25.6V 41.4V T-18

tillverkare: Microsemi
I lager
MAP6KE36CAE3

MAP6KE36CAE3

Beskrivning: TVS DIODE 30.8V 49.9V T-18

tillverkare: Microsemi
I lager
MAP6KE43A

MAP6KE43A

Beskrivning: TVS DIODE 36.8V 59.3V T-18

tillverkare: Microsemi
I lager
MAP6KE36CA

MAP6KE36CA

Beskrivning: TVS DIODE 30.8V 49.9V T-18

tillverkare: Microsemi
I lager
MAP6KE36AE3

MAP6KE36AE3

Beskrivning: TVS DIODE 30.8V 49.9V T-18

tillverkare: Microsemi
I lager
MAP6KE27CA

MAP6KE27CA

Beskrivning: TVS DIODE 23.1V 37.5V T-18

tillverkare: Microsemi
I lager
MAP6KE33AE3

MAP6KE33AE3

Beskrivning: TVS DIODE 28.2V 45.7V T-18

tillverkare: Microsemi
I lager
MAP6KE43AE3

MAP6KE43AE3

Beskrivning: TVS DIODE 36.8V 59.3V T-18

tillverkare: Microsemi
I lager
MAP6KE39AE3

MAP6KE39AE3

Beskrivning: TVS DIODE 33.3V 53.9V T-18

tillverkare: Microsemi
I lager
MAP6KE33CA

MAP6KE33CA

Beskrivning: TVS DIODE 28.2V 45.7V T-18

tillverkare: Microsemi
I lager
MAP6KE39A

MAP6KE39A

Beskrivning: TVS DIODE 33.3V 53.9V T-18

tillverkare: Microsemi
I lager
MAP6KE27CAE3

MAP6KE27CAE3

Beskrivning: TVS DIODE 23.1V 37.5V T-18

tillverkare: Microsemi
I lager
MAP6KE30CA

MAP6KE30CA

Beskrivning: TVS DIODE 25.6V 41.4V T-18

tillverkare: Microsemi
I lager
MAP6KE30CAE3

MAP6KE30CAE3

Beskrivning: TVS DIODE 25.6V 41.4V T-18

tillverkare: Microsemi
I lager
MAP6KE30A

MAP6KE30A

Beskrivning: TVS DIODE 25.6V 41.4V T-18

tillverkare: Microsemi
I lager
MAP6KE39CA

MAP6KE39CA

Beskrivning: TVS DIODE 33.3V 53.9V T-18

tillverkare: Microsemi
I lager
MAP6KE43CA

MAP6KE43CA

Beskrivning: TVS DIODE 36.8V 59.3V T-18

tillverkare: Microsemi
I lager
MAP6KE39CAE3

MAP6KE39CAE3

Beskrivning: TVS DIODE 33.3V 53.9V T-18

tillverkare: Microsemi
I lager
MAP6KE33CAE3

MAP6KE33CAE3

Beskrivning: TVS DIODE 28.2V 45.7V T-18

tillverkare: Microsemi
I lager
MAP6KE33A

MAP6KE33A

Beskrivning: TVS DIODE 28.2V 45.7V T-18

tillverkare: Microsemi
I lager

Review (1)

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta