Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Dioder - Rectifiers - Single > JAN1N6639US
RFQs/beställning (0)
Svenska
1715127

JAN1N6639US

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
100+
$12.155
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    JAN1N6639US
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    DIODE GEN PURP 75V 300MA B-MELF
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Innehåller lednings- / RoHS-överensstämmelse
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Spänning - Framåt (Vf) (Max) @ Om
    1.2V @ 300mA
  • Spänning - DC-omvänd (Vr) (Max)
    75V
  • Leverantörs Device Package
    D-5B
  • Fart
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serier
    Military, MIL-PRF-19500/609
  • Omvänd återställningstid (trr)
    4ns
  • Förpackning
    Bulk
  • Förpackning / Fodral
    SQ-MELF, B
  • Andra namn
    1086-20012
    1086-20012-MIL
  • Driftstemperatur - korsning
    -65°C ~ 175°C
  • Monteringstyp
    Surface Mount
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tillverkarens normala ledtid
    8 Weeks
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodtyp
    Standard
  • detaljerad beskrivning
    Diode Standard 75V 300mA Surface Mount D-5B
  • Ström - Omvänd läckage @ Vr
    100nA @ 75V
  • Aktuell - Genomsnittlig Rectified (Io)
    300mA
  • Kapacitans @ Vr, F
    -
JAN1N6631U

JAN1N6631U

Beskrivning: DIODE GEN PURP 1KV 1.4A E-MELF

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N6642UB

JAN1N6642UB

Beskrivning: DIODE GEN PURP 75V 300MA UB

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N6640US

JAN1N6640US

Beskrivning: DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N6631US

JAN1N6631US

Beskrivning: DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N6641

JAN1N6641

Beskrivning: DIODE GEN PURP 50V 300MA AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N6639

JAN1N6639

Beskrivning: DIODE GEN PURP 75V 300MA AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N6638US

JAN1N6638US

Beskrivning: DIODE GEN PURP 150V 300MA D-MELF

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N6642U

JAN1N6642U

Beskrivning: DIODE GEN PURP 75V 300MA D5D

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N6631

JAN1N6631

Beskrivning: DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N6638U

JAN1N6638U

Beskrivning: DIODE GEN PURP 150V 300MA B-MELF

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N6642UB2

JAN1N6642UB2

Beskrivning: DIODE GEN PURP 75V 300MA UB2

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N6642UB2R

JAN1N6642UB2R

Beskrivning: DIODE GEN PURP 75V 300MA UB2

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N6642

JAN1N6642

Beskrivning: DIODE GEN PURP 75V 300MA AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N6630US

JAN1N6630US

Beskrivning: DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N6638

JAN1N6638

Beskrivning: DIODE GEN PURP 150V 300MA AXIAL

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
JAN1N6630

JAN1N6630

Beskrivning: DIODE GEN PURP 900V 1.4A AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N6640

JAN1N6640

Beskrivning: DIODE GEN PURP 50V 300MA AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N6641US

JAN1N6641US

Beskrivning: DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N6630U

JAN1N6630U

Beskrivning: DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N6642UBCA

JAN1N6642UBCA

Beskrivning: DIODE GEN PURP 75V 300MA UB

tillverkare: Microsemi
I lager

Review (1)

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta