Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Dioder - Rectifiers - Single > JAN1N6624US
RFQs/beställning (0)
Svenska
5299199

JAN1N6624US

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
100+
$17.017
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    JAN1N6624US
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    DIODE GEN PURP 990V 1A D5A
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Innehåller lednings- / RoHS-överensstämmelse
  • Ecad -modell
  • Spänning - Framåt (Vf) (Max) @ Om
    1.55V @ 1A
  • Spänning - DC-omvänd (Vr) (Max)
    990V
  • Leverantörs Device Package
    D-5A
  • Fart
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serier
    Military, MIL-PRF-19500/585
  • Omvänd återställningstid (trr)
    50ns
  • Förpackning
    Bulk
  • Förpackning / Fodral
    SQ-MELF, A
  • Andra namn
    1086-19973
    1086-19973-MIL
  • Driftstemperatur - korsning
    -65°C ~ 150°C
  • Monteringstyp
    Surface Mount
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodtyp
    Standard
  • detaljerad beskrivning
    Diode Standard 990V 1A Surface Mount D-5A
  • Ström - Omvänd läckage @ Vr
    500nA @ 990V
  • Aktuell - Genomsnittlig Rectified (Io)
    1A
  • Kapacitans @ Vr, F
    10pF @ 10V, 1MHz
JAN1N6628

JAN1N6628

Beskrivning: DIODE GEN PURP 660V 1.75A AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N6625US

JAN1N6625US

Beskrivning: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N6624U

JAN1N6624U

Beskrivning: DIODE GEN PURP 900V 1A A-MELF

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
JAN1N6626

JAN1N6626

Beskrivning: DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N6621U

JAN1N6621U

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 1.2A A-MELF

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
JAN1N6623

JAN1N6623

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
JAN1N6627U

JAN1N6627U

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 1.75A E-MELF

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
JAN1N6624

JAN1N6624

Beskrivning: DIODE GEN PURP 900V 1A AXIAL

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
JAN1N6627

JAN1N6627

Beskrivning: DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N6622US

JAN1N6622US

Beskrivning: DIODE GEN PURP 660V 2A D5A

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
JAN1N6621US

JAN1N6621US

Beskrivning: DIODE GEN PURP 440V 2A D5A

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N6623US

JAN1N6623US

Beskrivning: DIODE GEN PURP 880V 1A D5A

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N6626U

JAN1N6626U

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 1.75A E-MELF

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
JAN1N6625U

JAN1N6625U

Beskrivning: DIODE GEN PURP 1KV 1A A-MELF

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
JAN1N6625

JAN1N6625

Beskrivning: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
JAN1N6622U

JAN1N6622U

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-MELF

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
JAN1N6622

JAN1N6622

Beskrivning: DIODE GEN PURP 660V 2A AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N6623U

JAN1N6623U

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 1A A-MELF

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
JAN1N6627US

JAN1N6627US

Beskrivning: DIODE GEN PURP 440V 1.75A D5B

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N6626US

JAN1N6626US

Beskrivning: DIODE GEN PURP 220V 1.75A D5B

tillverkare: Microsemi
I lager

Review (1)

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta