Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Dioder - Rectifiers - Single > JAN1N5802
RFQs/beställning (0)
Svenska
5515223

JAN1N5802

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
120+
$8.547
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    JAN1N5802
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    DIODE GEN PURP 50V 2.5A AXIAL
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Innehåller lednings- / RoHS-överensstämmelse
  • Ecad -modell
  • Spänning - Framåt (Vf) (Max) @ Om
    975mV @ 2.5A
  • Spänning - DC-omvänd (Vr) (Max)
    50V
  • Fart
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serier
    Military, MIL-PRF-19500/477
  • Omvänd återställningstid (trr)
    25ns
  • Förpackning
    Bulk
  • Förpackning / Fodral
    A, Axial
  • Andra namn
    1086-2117
    1086-2117-MIL
  • Driftstemperatur - korsning
    -65°C ~ 175°C
  • Monteringstyp
    Through Hole
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tillverkarens normala ledtid
    8 Weeks
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodtyp
    Standard
  • detaljerad beskrivning
    Diode Standard 50V 2.5A Through Hole
  • Ström - Omvänd läckage @ Vr
    1µA @ 50V
  • Aktuell - Genomsnittlig Rectified (Io)
    2.5A
  • Kapacitans @ Vr, F
    25pF @ 10V, 1MHz
JAN1N5648A

JAN1N5648A

Beskrivning: TVS DIODE 36.8V 59.3V DO13

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5649A

JAN1N5649A

Beskrivning: TVS DIODE 40.2V 64.8V DO13

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5711-1

JAN1N5711-1

Beskrivning: DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO35

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5651A

JAN1N5651A

Beskrivning: TVS DIODE 47.8V 77V DO13

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5655A

JAN1N5655A

Beskrivning: TVS DIODE 70.1V 113V DO13

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5804US

JAN1N5804US

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 2.5A D5A

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5806

JAN1N5806

Beskrivning: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5802US

JAN1N5802US

Beskrivning: DIODE GEN PURP 50V 2.5A D5A

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5806US

JAN1N5806US

Beskrivning: DIODE GEN PURP 150V 2.5A D5A

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5807

JAN1N5807

Beskrivning: DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5652A

JAN1N5652A

Beskrivning: TVS DIODE 53V 85V DO13

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5802URS

JAN1N5802URS

Beskrivning: DIODE GEN PURP 50V 1A APKG

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5806URS

JAN1N5806URS

Beskrivning: DIODE GEN PURP 150V 1A APKG

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5711UR-1

JAN1N5711UR-1

Beskrivning: DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO213AA

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5807URS

JAN1N5807URS

Beskrivning: DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5660A

JAN1N5660A

Beskrivning: TVS DIODE 111V 179V DO13

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5804

JAN1N5804

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 2.5A AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5653A

JAN1N5653A

Beskrivning: TVS DIODE 58.1V 92V DO13

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5772

JAN1N5772

Beskrivning: TVS DIODE 10CFLATPACK

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
JAN1N5804URS

JAN1N5804URS

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 1A APKG

tillverkare: Microsemi
I lager

Review (1)

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta