Hem > Produkter > Kretsskydd > TVS - Dioder > JAN1N5635A
RFQs/beställning (0)
Svenska
5056375

JAN1N5635A

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    JAN1N5635A
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    TVS DIODE 10.2V 16.7V DO13
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Innehåller lednings- / RoHS-överensstämmelse
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Spänning - Reverse Standoff (Typ)
    10.2V
  • Spänning - Klämma (Max) @ Ipp
    16.7V
  • Spänning - Uppdelning (Min)
    11.4V
  • Envärdiga kanaler
    1
  • Typ
    Zener
  • Leverantörs Device Package
    DO-13 (DO-202AA)
  • Serier
    Military, MIL-PRF-19500/500
  • Power Line Protection
    No
  • Power - Peak Pulse
    1500W (1.5kW)
  • Förpackning
    Bulk
  • Förpackning / Fodral
    DO-13
  • Andra namn
    1086-15782
    1086-15782-MIL
  • Driftstemperatur
    -65°C ~ 175°C (TJ)
  • Monteringstyp
    Through Hole
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Aktuell - Peak Pulse (10 / 1000μs)
    90A
  • Kapacitans @ Frekvens
    -
  • tillämpningar
    General Purpose
JAN1N5621

JAN1N5621

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
JAN1N5623

JAN1N5623

Beskrivning: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5640A

JAN1N5640A

Beskrivning: TVS DIODE 17.1V 27.7V DO13

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5622US

JAN1N5622US

Beskrivning: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5632A

JAN1N5632A

Beskrivning: TVS DIODE 7.78V 13.4V DO13

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5639A

JAN1N5639A

Beskrivning: TVS DIODE 15.3V 25.2V DO13

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5647A

JAN1N5647A

Beskrivning: TVS DIODE 33.3V 53.9V DO13

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5649A

JAN1N5649A

Beskrivning: TVS DIODE 40.2V 64.8V DO13

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5644A

JAN1N5644A

Beskrivning: TVS DIODE 25.6V 41.4V DO13

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5623US

JAN1N5623US

Beskrivning: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5646A

JAN1N5646A

Beskrivning: TVS DIODE 30.8V 49.9V DO13

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5620

JAN1N5620

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
JAN1N5642A

JAN1N5642A

Beskrivning: TVS DIODE 20.5V 33.2V DO13

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5622

JAN1N5622

Beskrivning: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5648A

JAN1N5648A

Beskrivning: TVS DIODE 36.8V 59.3V DO13

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5629A

JAN1N5629A

Beskrivning: TVS DIODE 5.8V 10.5V DO13

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5620US

JAN1N5620US

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5645A

JAN1N5645A

Beskrivning: TVS DIODE 28.2V 45.7V DO202AA

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5621US

JAN1N5621US

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5637A

JAN1N5637A

Beskrivning: TVS DIODE 12.8V 21.2V DO13

tillverkare: Microsemi
I lager

Review (1)

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta