Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Transistorer - FET, MOSFET - Single > APT6040BNG
RFQs/beställning (0)
Svenska
Svenska
6768509

APT6040BNG

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    APT6040BNG
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Leverantörs Device Package
    TO-247AD
  • Serier
    POWER MOS IV®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    400 mOhm @ 9A, 10V
  • Effektdissipation (Max)
    310W (Tc)
  • Förpackning
    Tube
  • Förpackning / Fodral
    TO-247-3
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Monteringstyp
    Through Hole
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
    2950pF @ 25V
  • Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs
    130nC @ 10V
  • FET-typ
    N-Channel
  • FET-funktionen
    -
  • Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På)
    10V
  • Avlopp till källspänning (Vdss)
    600V
  • detaljerad beskrivning
    N-Channel 600V 18A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-247AD
  • Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C
    18A (Tc)
APT60D30LCTG

APT60D30LCTG

Beskrivning: DIODE ARRAY GP 300V 60A TO264

tillverkare: Microsemi
I lager
APT60D100BG

APT60D100BG

Beskrivning: DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT5SM170B

APT5SM170B

Beskrivning: MOSFET N-CH 700V TO247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT60D120SG

APT60D120SG

Beskrivning: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A D3

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
APT60D20LCTG

APT60D20LCTG

Beskrivning: DIODE ARRAY GP 200V 60A TO264

tillverkare: Microsemi
I lager
APT6017LFLLG

APT6017LFLLG

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264

tillverkare: Microsemi
I lager
APT5F100K

APT5F100K

Beskrivning: MOSFET N-CH 1000V 5A TO-220

tillverkare: Microsemi
I lager
APT6030BN

APT6030BN

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD

tillverkare: Microsemi
I lager
APT60D40BG

APT60D40BG

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 60A TO247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT6040BN

APT6040BN

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD

tillverkare: Microsemi
I lager
APT60D30BG

APT60D30BG

Beskrivning: DIODE GEN PURP 300V 60A TO247

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
APT6013LLLG

APT6013LLLG

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 43A TO-264

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
APT6017LLLG

APT6017LLLG

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
APT60D100SG

APT60D100SG

Beskrivning: DIODE GEN PURP 1KV 60A D3

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
APT5SM170S

APT5SM170S

Beskrivning: MOSFET N-CH 700V D3PAK

tillverkare: Microsemi
I lager
APT60D120BG

APT60D120BG

Beskrivning: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT60D20BG

APT60D20BG

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 60A TO247

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
APT6010B2LLG

APT6010B2LLG

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
APT6013JLL

APT6013JLL

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
APT60D100LCTG

APT60D100LCTG

Beskrivning: DIODE ARRAY GP 1000V 60A TO264

tillverkare: Microsemi
I lager

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta