Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Dioder - Rectifiers - Single > 1N6625E3
RFQs/beställning (0)
Svenska
9595141N6625E3 bildMicrosemi Corporation

1N6625E3

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
1+
$21.80
10+
$20.165
25+
$18.53
100+
$17.222
250+
$15.805
500+
$15.042
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    1N6625E3
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Ecad -modell
  • Spänning - Peak Reverse (Max)
    Standard
  • Spänning - Framåt (Vf) (Max) @ Om
    1A
  • Spänning - Uppdelning
    A, Axial
  • Serier
    -
  • RoHS-status
    Bulk
  • Omvänd återställningstid (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Motstånd @ Om, F
    -
  • Polarisering
    A, Axial
  • Driftstemperatur - korsning
    80ns
  • Monteringstyp
    Through Hole
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tillverkarens varunummer
    1N6625E3
  • Utvidgad beskrivning
    Diode Standard 1100V (1.1kV) 1A Through Hole A, Axial
  • Diodkonfiguration
    1µA @ 1000V
  • Beskrivning
    DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL
  • Ström - Omvänd läckage @ Vr
    1.95V @ 1.5A
  • Aktuell - Genomsnittlig Rectified (Io) (per Diod)
    1100V (1.1kV)
  • Kapacitans @ Vr, F
    -65°C ~ 150°C
1N6629

1N6629

Beskrivning: DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
1N6625US

1N6625US

Beskrivning: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A A-MELF

tillverkare: Microsemi
I lager
1N6625

1N6625

Beskrivning: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
1N6630

1N6630

Beskrivning: DIODE GEN PURP 990V 1.4A AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
1N6627

1N6627

Beskrivning: DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
1N6628

1N6628

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 1.75A AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
1N6626

1N6626

Beskrivning: DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
1N6628US

1N6628US

Beskrivning: DIODE GEN PURP 660V 1.75A A-MELF

tillverkare: Microsemi
I lager
1N6620US

1N6620US

Beskrivning: DIODE GEN PURP 220V 1.2A A-MELF

tillverkare: Microsemi
I lager
1N6622

1N6622

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 1.2A AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
1N6627US

1N6627US

Beskrivning: DIODE GEN PURP 440V 1.75A A-MELF

tillverkare: Microsemi
I lager
1N6629US

1N6629US

Beskrivning: DIODE GEN PURP 880V 1.4A A-MELF

tillverkare: Microsemi
I lager
1N6623

1N6623

Beskrivning: DIODE GEN PURP 880V 1A AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
1N6622US

1N6622US

Beskrivning: DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF

tillverkare: Microsemi
I lager
1N6624US

1N6624US

Beskrivning: DIODE GEN PURP 990V 1A A-MELF

tillverkare: Microsemi
I lager
1N6621US

1N6621US

Beskrivning: DIODE GEN PURP 440V 1.2A A-MELF

tillverkare: Microsemi
I lager
1N6624

1N6624

Beskrivning: DIODE GEN PURP 990V 1A A-PAK

tillverkare: Microsemi
I lager
1N6623US

1N6623US

Beskrivning: DIODE GEN PURP 880V 1A A-MELF

tillverkare: Microsemi
I lager
1N6626US

1N6626US

Beskrivning: DIODE GEN PURP 220V 1.75A A-MELF

tillverkare: Microsemi
I lager
1N6621

1N6621

Beskrivning: DIODE GEN PURP 440V 1.2A AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager

Review (1)

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta