Hem > Produkter > Integrerade kretsar (ICS) > Minne > MT47H512M4THN-25E:M
RFQs/beställning (0)
Svenska
2248778

MT47H512M4THN-25E:M

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
1518+
$23.25
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    MT47H512M4THN-25E:M
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Skriv cykeltid - Word, Page
    15ns
  • Spänning - Tillförsel
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Teknologi
    SDRAM - DDR2
  • Serier
    -
  • Driftstemperatur
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Minnetyp
    Volatile
  • Minnesstorlek
    2Gb (512M x 4)
  • Minnesgränssnitt
    Parallel
  • Minnesformat
    DRAM
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaljerad beskrivning
    SDRAM - DDR2 Memory IC 2Gb (512M x 4) Parallel 400MHz 400ps
  • Klockfrekvens
    400MHz
  • Åtkomsttid
    400ps
MT47H512M4THN-25E:H

MT47H512M4THN-25E:H

Beskrivning: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT47H64M16B7-37E:A

MT47H64M16B7-37E:A

Beskrivning: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT47H32M8BP-5E:B

MT47H32M8BP-5E:B

Beskrivning: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT47H512M4THN-3:E TR

MT47H512M4THN-3:E TR

Beskrivning: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT47H512M8WTR-25E:C TR

MT47H512M8WTR-25E:C TR

Beskrivning: IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT47H512M8WTR-3:C

MT47H512M8WTR-3:C

Beskrivning: IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT47H512M4EB-25E:C TR

MT47H512M4EB-25E:C TR

Beskrivning: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT47H512M4THN-37E:E TR

MT47H512M4THN-37E:E TR

Beskrivning: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT47H512M4EB-25E:C

MT47H512M4EB-25E:C

Beskrivning: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT47H64M16B7-5E:A

MT47H64M16B7-5E:A

Beskrivning: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT47H512M4THN-3:H

MT47H512M4THN-3:H

Beskrivning: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT47H64M16B7-37E:A TR

MT47H64M16B7-37E:A TR

Beskrivning: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT47H32M8BP-3:B TR

MT47H32M8BP-3:B TR

Beskrivning: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT47H512M8WTR-25E:C

MT47H512M8WTR-25E:C

Beskrivning: IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT47H32M8BP-5E:B TR

MT47H32M8BP-5E:B TR

Beskrivning: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT47H32M8BP-37V:B

MT47H32M8BP-37V:B

Beskrivning: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT47H512M4EB-187E:C

MT47H512M4EB-187E:C

Beskrivning: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT47H512M4EB-3:C

MT47H512M4EB-3:C

Beskrivning: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT47H512M4THN-25E:M TR

MT47H512M4THN-25E:M TR

Beskrivning: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT47H32M8BP-37E:B TR

MT47H32M8BP-37E:B TR

Beskrivning: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager

Review (1)

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta