Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Transistorer - Bipolär (BJT) - Arrays > MP6Z13TR
RFQs/beställning (0)
Svenska
5617125MP6Z13TR bildLAPIS Semiconductor

MP6Z13TR

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    MP6Z13TR
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    TRANS NPN/PNP 50V 3A 6MPT
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Spänning - Samlare Emitter Breakdown (Max)
    50V
  • Vce Mättnad (Max) @ Ib, Ic
    350mV @ 50mA, 1A / 400mV @ 50mA, 1A
  • Transistortyp
    NPN, PNP
  • Leverantörs Device Package
    MPT6
  • Serier
    -
  • Effekt - Max
    2W
  • Förpackning
    Tape & Reel (TR)
  • Förpackning / Fodral
    6-SMD, Flat Leads
  • Andra namn
    Q6052732
  • Driftstemperatur
    150°C (TJ)
  • Monteringstyp
    Surface Mount
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frekvens - Övergång
    320MHz, 300MHz
  • detaljerad beskrivning
    Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 3A 320MHz, 300MHz 2W Surface Mount MPT6
  • Likströmsstigning (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    180 @ 50mA, 3V
  • Nuvarande - Collector Cutoff (Max)
    1µA (ICBO)
  • Nuvarande - Samlare (Ic) (Max)
    3A
MP6M11TCR

MP6M11TCR

Beskrivning: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A MPT6

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
MP6KE82A

MP6KE82A

Beskrivning: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
MP6KE8.2CA

MP6KE8.2CA

Beskrivning: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
MP6KE8.2AE3

MP6KE8.2AE3

Beskrivning: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
MP6KE9.1CAE3

MP6KE9.1CAE3

Beskrivning: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
MP6KE91A

MP6KE91A

Beskrivning: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
MP6KE9.1AE3

MP6KE9.1AE3

Beskrivning: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
MP6KE75CAE3

MP6KE75CAE3

Beskrivning: TVS DIODE 64.1VWM 103VC T18

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
MP6KE82CA

MP6KE82CA

Beskrivning: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
MP6KE9.1CA

MP6KE9.1CA

Beskrivning: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
MP6M14TCR

MP6M14TCR

Beskrivning: MOSFET N/P-CH 30V 8A/6A MPT6

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
MP6M12TCR

MP6M12TCR

Beskrivning: MOSFET N/P-CH 30V 5A MPT6

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
MP6KE9.1A

MP6KE9.1A

Beskrivning: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
MP6KE91CA

MP6KE91CA

Beskrivning: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
MP6KE82CAE3

MP6KE82CAE3

Beskrivning: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
MP6KE91CAE3

MP6KE91CAE3

Beskrivning: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
MP6KE91AE3

MP6KE91AE3

Beskrivning: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
MP6KE82AE3

MP6KE82AE3

Beskrivning: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
MP6KE8.2CAE3

MP6KE8.2CAE3

Beskrivning: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
MP6KE8.2A

MP6KE8.2A

Beskrivning: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager

Review (1)

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta