Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Transistorer - IGBT-moduler > MII100-12A3
RFQs/beställning (0)
Svenska
6895038

MII100-12A3

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
6+
$68.623
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    MII100-12A3
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    IGBT 1200V 135A SOA/RBSOA
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Spänning - Samlare Emitter Breakdown (Max)
    1200V
  • Vce (på) (Max) @ Vge, Ic
    2.7V @ 15V, 75A
  • Leverantörs Device Package
    Y4-M5
  • Serier
    -
  • Effekt - Max
    560W
  • Förpackning / Fodral
    Y4-M5
  • Driftstemperatur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • NTC-termistor
    No
  • Monteringstyp
    Chassis Mount
  • Tillverkarens normala ledtid
    32 Weeks
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Inputkapacitans (Cies) @ Vce
    5.5nF @ 25V
  • Inmatning
    Standard
  • IGBT-typ
    NPT
  • detaljerad beskrivning
    IGBT Module NPT Half Bridge 1200V 135A 560W Chassis Mount Y4-M5
  • Nuvarande - Collector Cutoff (Max)
    5mA
  • Nuvarande - Samlare (Ic) (Max)
    135A
  • Konfiguration
    Half Bridge
  • Bas-delenummer
    MII
MG1275S-BA1MM

MG1275S-BA1MM

Beskrivning: IGBT 1200V 105A 630W PKG S

tillverkare: Hamlin / Littelfuse
I lager
FF300R12ME4PBOSA1

FF300R12ME4PBOSA1

Beskrivning: MOD IGBT MED PWR ECONOD-3

tillverkare: International Rectifier (Infineon Technologies)
I lager
MII300-12A4

MII300-12A4

Beskrivning: MOD IGBT RBSOA 1200V 330A Y3-DCB

tillverkare: IXYS Corporation
I lager
MII75-12A3

MII75-12A3

Beskrivning: MOD IGBT RBSOA 1200V 90A Y4-M5

tillverkare: IXYS Corporation
I lager
MII400-12E4

MII400-12E4

Beskrivning: IGBT 1.2KV 420A MODULE

tillverkare: IXYS Corporation
I lager
MII300-12E4

MII300-12E4

Beskrivning: MOD IGBT NPT PHASE LEG Y3-LI

tillverkare: IXYS Corporation
I lager
MII145-12A3

MII145-12A3

Beskrivning: MOD IGBT RBSOA 1200V 160A Y4-M5

tillverkare: IXYS Corporation
I lager
FZ400R12KE3B1HOSA1

FZ400R12KE3B1HOSA1

Beskrivning: MOD IGBT MED PWR 62MM-2

tillverkare: International Rectifier (Infineon Technologies)
I lager
APTGT150H170G

APTGT150H170G

Beskrivning: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6

tillverkare: Microsemi
I lager
APTGF100A120TG

APTGF100A120TG

Beskrivning: POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP4

tillverkare: Microsemi
I lager
MII200-12A4

MII200-12A4

Beskrivning: MOD IGBT RBSOA 1200V 270A Y3-DCB

tillverkare: IXYS Corporation
I lager
MII150-12A4

MII150-12A4

Beskrivning: MOD IGBT RBSOA 1200V 180A Y3-DCB

tillverkare: IXYS Corporation
I lager
PP600T120

PP600T120

Beskrivning: IGBT POW-R-PAC 3PH 600A 1200V

tillverkare: Powerex, Inc.
I lager
DF160R12W2H3FB11BPSA1

DF160R12W2H3FB11BPSA1

Beskrivning: MOD DIODE BRIDGE EASY2B-2-1

tillverkare: International Rectifier (Infineon Technologies)
I lager
2ED300C17STROHSBPSA1

2ED300C17STROHSBPSA1

Beskrivning: IGBT MODULE 1700V 30A

tillverkare: International Rectifier (Infineon Technologies)
I lager
FP15R12W2T4BOMA1

FP15R12W2T4BOMA1

Beskrivning: IGBT MODULE VCES 600V 22A

tillverkare: International Rectifier (Infineon Technologies)
I lager
FF200R12KE3HOSA1

FF200R12KE3HOSA1

Beskrivning: IGBT MODULE VCES 1200V 200A

tillverkare: International Rectifier (Infineon Technologies)
I lager
APTGF30X60T3G

APTGF30X60T3G

Beskrivning: IGBT MODULE NPT 2PH BRIDGE SP3

tillverkare: Microsemi
I lager
APTGT580U60D4G

APTGT580U60D4G

Beskrivning: IGBT 600V 760A 1600W D4

tillverkare: Microsemi
I lager
APTGT300DU60G

APTGT300DU60G

Beskrivning: IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP6

tillverkare: Microsemi
I lager

Review (1)

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta