Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Transistorer - IGBT-moduler > GSID080A120B1A5
RFQs/beställning (0)
Svenska
1215537

GSID080A120B1A5

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
10+
$64.20
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    GSID080A120B1A5
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    SILICON IGBT MODULES
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Spänning - Samlare Emitter Breakdown (Max)
    1200V
  • Vce (på) (Max) @ Vge, Ic
    2V @ 15V, 80A
  • Leverantörs Device Package
    Module
  • Serier
    Amp+™
  • Effekt - Max
    1710W
  • Förpackning / Fodral
    Module
  • Driftstemperatur
    -40°C ~ 150°C
  • NTC-termistor
    Yes
  • Monteringstyp
    Chassis Mount
  • Tillverkarens normala ledtid
    8 Weeks
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Inputkapacitans (Cies) @ Vce
    7nF @ 25V
  • Inmatning
    Standard
  • IGBT-typ
    -
  • detaljerad beskrivning
    IGBT Module Single 1200V 160A 1710W Chassis Mount Module
  • Nuvarande - Collector Cutoff (Max)
    1mA
  • Nuvarande - Samlare (Ic) (Max)
    160A
  • Konfiguration
    Single
GSID150A120S6A4

GSID150A120S6A4

Beskrivning: SILICON IGBT MODULES

tillverkare: Global Power Technologies Group
I lager
GSID200A120S3B1

GSID200A120S3B1

Beskrivning: SILICON IGBT MODULES

tillverkare: Global Power Technologies Group
I lager
GSID100A120S5C1

GSID100A120S5C1

Beskrivning: IGBT MODULE 1200V 170A

tillverkare: Global Power Technologies Group
I lager
GSID100A120T2P2

GSID100A120T2P2

Beskrivning: SILICON IGBT MODULES

tillverkare: Global Power Technologies Group
I lager
GSIB6A20-E3/45

GSIB6A20-E3/45

Beskrivning: BRIDGE RECT 200V 2.8A GSIB-5S

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
GSID150A120S5C1

GSID150A120S5C1

Beskrivning: IGBT MODULE 1200V 285A

tillverkare: Global Power Technologies Group
I lager
GSID100A120T2C1

GSID100A120T2C1

Beskrivning: SILICON IGBT MODULES

tillverkare: Global Power Technologies Group
I lager
GSIB6A80N-M3/45

GSIB6A80N-M3/45

Beskrivning: BRIDGE RECT 6A 800V GSIB-5S

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
GSIB6A60N-M3/45

GSIB6A60N-M3/45

Beskrivning: BRIDGE RECT 6A 600V GSIB-5S

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
GSIB680-E3/45

GSIB680-E3/45

Beskrivning: DIODE 6A 800V GSIB-5S

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
GSIB6A80-E3/45

GSIB6A80-E3/45

Beskrivning: DIODE 6A 800V GSIB-5S

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
GSID100A120T2C1A

GSID100A120T2C1A

Beskrivning: SILICON IGBT MODULES

tillverkare: Global Power Technologies Group
I lager
GSIB6A40-E3/45

GSIB6A40-E3/45

Beskrivning: DIODE 6A 400V GSIB-5S

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
GSID150A120S3B1

GSID150A120S3B1

Beskrivning: SILICON IGBT MODULES

tillverkare: Global Power Technologies Group
I lager
GSID150A120T2C1

GSID150A120T2C1

Beskrivning: SILICON IGBT MODULES

tillverkare: Global Power Technologies Group
I lager
GSID200A120S5C1

GSID200A120S5C1

Beskrivning: IGBT MODULE 1200V 335A

tillverkare: Global Power Technologies Group
I lager
GSIB6A40N-M3/45

GSIB6A40N-M3/45

Beskrivning: BRIDGE RECT 6A 400V GSIB-5S

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
GSIB6A60-E3/45

GSIB6A60-E3/45

Beskrivning: DIODE 6A 600V GSIB-5S

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
GSIB680N-M3/45

GSIB680N-M3/45

Beskrivning: BRIDGE RECT 6A 800V GSIB-5S

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
GSIB6A20N-M3/45

GSIB6A20N-M3/45

Beskrivning: BRIDGE RECT 6A 200V GSIB-5S

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager

Review (1)

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta