Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Transistorer - FET, MOSFET - Single > GP2M002A065PG
RFQs/beställning (0)
Svenska
1151322GP2M002A065PG bildGlobal Power Technologies Group

GP2M002A065PG

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    GP2M002A065PG
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Leverantörs Device Package
    I-PAK
  • Serier
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.6 Ohm @ 900mA, 10V
  • Effektdissipation (Max)
    52W (Tc)
  • Förpackning
    Tape & Reel (TR)
  • Förpackning / Fodral
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Monteringstyp
    Through Hole
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
    353pF @ 25V
  • Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs
    8.5nC @ 10V
  • FET-typ
    N-Channel
  • FET-funktionen
    -
  • Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På)
    10V
  • Avlopp till källspänning (Vdss)
    650V
  • detaljerad beskrivning
    N-Channel 650V 1.8A (Tc) 52W (Tc) Through Hole I-PAK
  • Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C
    1.8A (Tc)
GP2M004A060FG

GP2M004A060FG

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 4A TO220F

tillverkare: Global Power Technologies Group
I lager
GP2M004A060CG

GP2M004A060CG

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK

tillverkare: Global Power Technologies Group
I lager
GP2M004A060HG

GP2M004A060HG

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 4A TO220

tillverkare: Global Power Technologies Group
I lager
GP2M005A050FG

GP2M005A050FG

Beskrivning: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F

tillverkare: Global Power Technologies Group
I lager
GP2M004A060PG

GP2M004A060PG

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 4A IPAK

tillverkare: Global Power Technologies Group
I lager
GP2M002A060PG

GP2M002A060PG

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 2A

tillverkare: Global Power Technologies Group
I lager
GP2M004A065CG

GP2M004A065CG

Beskrivning: MOSFET N-CH 650V 4A DPAK

tillverkare: Global Power Technologies Group
I lager
GP2M002A060CG

GP2M002A060CG

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

tillverkare: Global Power Technologies Group
I lager
GP2M004A065HG

GP2M004A065HG

Beskrivning: MOSFET N-CH 650V 4A TO220

tillverkare: Global Power Technologies Group
I lager
GP2M002A060HG

GP2M002A060HG

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 2A TO220

tillverkare: Global Power Technologies Group
I lager
GP2M004A065PG

GP2M004A065PG

Beskrivning: MOSFET N-CH 650V 4A IPAK

tillverkare: Global Power Technologies Group
I lager
GP2M002A065FG

GP2M002A065FG

Beskrivning: MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220F

tillverkare: Global Power Technologies Group
I lager
GP2L26

GP2L26

Beskrivning: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM SMD

tillverkare: Sharp Microelectronics
I lager
GP2L24CJ00F

GP2L24CJ00F

Beskrivning: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM PCB

tillverkare: Sharp Microelectronics
I lager
GP2L24J0000F

GP2L24J0000F

Beskrivning: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .7MM PCB

tillverkare: Sharp Microelectronics
I lager
GP2M002A065CG

GP2M002A065CG

Beskrivning: MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK

tillverkare: Global Power Technologies Group
I lager
GP2M002A065HG

GP2M002A065HG

Beskrivning: MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220

tillverkare: Global Power Technologies Group
I lager
GP2M004A065FG

GP2M004A065FG

Beskrivning: MOSFET N-CH 650V 4A TO220F

tillverkare: Global Power Technologies Group
I lager
GP2M002A060FG

GP2M002A060FG

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 2A TO220F

tillverkare: Global Power Technologies Group
I lager
GP2M005A050CG

GP2M005A050CG

Beskrivning: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK

tillverkare: Global Power Technologies Group
I lager

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta