Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Transistorer - FET, MOSFET - Single > GP1M003A050PG
RFQs/beställning (0)
Svenska
3176838GP1M003A050PG bildGlobal Power Technologies Group

GP1M003A050PG

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    GP1M003A050PG
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Leverantörs Device Package
    I-PAK
  • Serier
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.8 Ohm @ 1.25A, 10V
  • Effektdissipation (Max)
    52W (Tc)
  • Förpackning
    Tape & Reel (TR)
  • Förpackning / Fodral
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Monteringstyp
    Through Hole
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
    395pF @ 25V
  • Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs
    9.2nC @ 10V
  • FET-typ
    N-Channel
  • FET-funktionen
    -
  • Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På)
    10V
  • Avlopp till källspänning (Vdss)
    500V
  • detaljerad beskrivning
    N-Channel 500V 2.5A (Tc) 52W (Tc) Through Hole I-PAK
  • Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C
    2.5A (Tc)
GP1M004A090H

GP1M004A090H

Beskrivning: MOSFET N-CH 900V 4A TO220

tillverkare: Global Power Technologies Group
I lager
GP1M005A040PG

GP1M005A040PG

Beskrivning: MOSFET N-CH 400V 3.4A IPAK

tillverkare: Global Power Technologies Group
I lager
GP1M003A090C

GP1M003A090C

Beskrivning: MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK

tillverkare: Global Power Technologies Group
I lager
GP1M003A080CH

GP1M003A080CH

Beskrivning: MOSFET N-CH 800V 3A DPAK

tillverkare: Global Power Technologies Group
I lager
GP1M004A090FH

GP1M004A090FH

Beskrivning: MOSFET N-CH 900V 4A TO220F

tillverkare: Global Power Technologies Group
I lager
GP1L57

GP1L57

Beskrivning: PHOTOINTERRUPTER SLOT 10MM PCB

tillverkare: Sharp Microelectronics
I lager
GP1M003A080H

GP1M003A080H

Beskrivning: MOSFET N-CH 800V 3A TO220

tillverkare: Global Power Technologies Group
I lager
GP1M003A080FH

GP1M003A080FH

Beskrivning: MOSFET N-CH 800V 3A TO220F

tillverkare: Global Power Technologies Group
I lager
GP1L53V

GP1L53V

Beskrivning: PHOTOINTERRUPTER SLOT 5.0MM PCB

tillverkare: Sharp Microelectronics
I lager
GP1M003A080PH

GP1M003A080PH

Beskrivning: MOSFET N-CH 800V 3A IPAK

tillverkare: Global Power Technologies Group
I lager
GP1M003A050CG

GP1M003A050CG

Beskrivning: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK

tillverkare: Global Power Technologies Group
I lager
GP1L52VJ000F

GP1L52VJ000F

Beskrivning: SENSOR OPTO SLOT 3MM DARL THRU

tillverkare: Sharp Microelectronics
I lager
GP1M003A050HG

GP1M003A050HG

Beskrivning: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220

tillverkare: Global Power Technologies Group
I lager
GP1M003A050FG

GP1M003A050FG

Beskrivning: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F

tillverkare: Global Power Technologies Group
I lager
GP1M003A090PH

GP1M003A090PH

Beskrivning: MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK

tillverkare: Global Power Technologies Group
I lager
GP1L52V

GP1L52V

Beskrivning: PHOTOINTERRUPTER SLOT 3.0MM PCB

tillverkare: Sharp Microelectronics
I lager
GP1M003A040PG

GP1M003A040PG

Beskrivning: MOSFET N-CH 400V 2A IPAK

tillverkare: Global Power Technologies Group
I lager
GP1M003A040CG

GP1M003A040CG

Beskrivning: MOSFET N-CH 400V 2A DPAK

tillverkare: Global Power Technologies Group
I lager
GP1FV51TK0F

GP1FV51TK0F

Beskrivning: TX FIBER OPTIC SQARE W/SHUTTER

tillverkare: Sharp Microelectronics
I lager
GP1M005A040CG

GP1M005A040CG

Beskrivning: MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK

tillverkare: Global Power Technologies Group
I lager

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta