SI7617DN-T1-GE3

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager

$0.525

10+

$0.429

30+

$0.381

100+

$0.334

500+

$0.265

1000+

$0.25

Förfrågan Online

Specifikationer

Artikelnummer

SI7617DN-T1-GE3
Tillverkare / Brand

Electro-Films (EFI) / Vishay
Lagerkvantitet

I lager
Beskrivning
Ledningsfri status / RoHS-status

Blyfri / Överensstämmer med RoHS
Datablad

SI7617DN-T1-GE3.pdf
Ecad -modell
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)
Leverantörs Device Package

PowerPAK® 1212-8
Serier

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.3 mOhm @ 13.9A, 10V
Effektdissipation (Max)

3.7W (Ta), 52W (Tc)
Förpackning

Tape & Reel (TR)
Förpackning / Fodral

PowerPAK® 1212-8
Andra namn

SI7617DN-T1-GE3TR
SI7617DNT1GE3
Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp

Surface Mount
Fuktkänslighetsnivå (MSL)

1 (Unlimited)
Tillverkarens normala ledtid

27 Weeks
Ledningsfri status / RoHS-status

Lead free / RoHS Compliant
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 15V
Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs

59nC @ 10V
FET-typ

P-Channel
FET-funktionen

-
Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På)

4.5V, 10V
Avlopp till källspänning (Vdss)

30V
detaljerad beskrivning

P-Channel 30V 35A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C

35A (Tc)

Relaterade nyheter
Frakt
Betalning

Vi har etablerat långsiktiga partnerskap med stora globala logistikleverantörer och erbjuder flexibla och effektiva fraktlösningar anpassade efter dina unika behov.Beroende på storlek, vikt och destination för din beställning väljer vi den mest lämpliga fraktbäraren.Vi tillhandahåller också realtidslogistikspårningstjänster, vilket gör att kunder kan förstå platsen och statusen för sina varor när som helst. Om du har specifika internationella fraktvägar eller en utsedd speditör, vänligen kontakta vårt säljteam-vi är glada att tillgodose dina krav.

Vi stöder flera betalningsmetoder, inklusive kreditkort, trådöverföringar och andra alternativ, och accepterar de flesta valutor.För beställningar som placeras i USD finns ytterligare betalningsalternativ tillgängliga.För mer information om betalningsmetoder och procedurer, vänligen kontakta vårt säljteam.

Följande är "SI7617DN-T1-GE3" -relaterade produkter.

SI7611DN-T1-GE3

Beskrivning: MOSFET P-CH 40V 18A 1212-8

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay

I lager

SI7617DN-T1-GE3

Begär offert

Referenspris (i amerikanska dollar)

Institution: Tillverkningssvårigheten för HBM4 har ökat ...

Crusoe Texas Data Center samlar in 11,6 miljarder dollar i ...

Siemens förvärvar EDA Software Developer Excellicon

SEMICON Southeast Asia 2025 Kicks Off in Singapore

De fem stora NAND -tillverkarna har samtidigt minskat produ...

Qualcomm kommer att återvända till Data Center CPU -markn...

SK Siltrons första kvartalsförsäljning av SK Hynix Silic...

IPhone -leverantören TDK förbereder sig för att tillhand...

Sydkorea kommer att bygga en AI -specifik superdator utrust...

AMD 、 Saudiarabien planerar att spendera 10 miljarder doll...

Den amerikanska regeringen överväger att sälja hundratus...

Tariff Suspension Offers Adjustment Window for the Electron...

Review (1)

Stal***e

Quick inquiry

Välj språk

Aktuellt språk