Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Transistorer - FET, MOSFET - Arrays > SI4900DY-T1-GE3
RFQs/beställning (0)
Svenska
4265942

SI4900DY-T1-GE3

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
2500+
$0.58
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    SI4900DY-T1-GE3
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Leverantörs Device Package
    8-SO
  • Serier
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    58 mOhm @ 4.3A, 10V
  • Effekt - Max
    3.1W
  • Förpackning
    Tape & Reel (TR)
  • Förpackning / Fodral
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Andra namn
    SI4900DY-T1-GE3-ND
    SI4900DY-T1-GE3TR
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Monteringstyp
    Surface Mount
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tillverkarens normala ledtid
    33 Weeks
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
    665pF @ 15V
  • Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs
    20nC @ 10V
  • FET-typ
    2 N-Channel (Dual)
  • FET-funktionen
    Logic Level Gate
  • Avlopp till källspänning (Vdss)
    60V
  • detaljerad beskrivning
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.3A 3.1W Surface Mount 8-SO
  • Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C
    5.3A
  • Bas-delenummer
    SI4900
SI4896DY-T1-GE3

SI4896DY-T1-GE3

Beskrivning:

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SI4890DY-T1-GE3

SI4890DY-T1-GE3

Beskrivning: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SI4896DY-T1-E3

SI4896DY-T1-E3

Beskrivning: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-SOIC

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SI4909DY-T1-GE3

SI4909DY-T1-GE3

Beskrivning:

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SI4906DY-T1-E3

SI4906DY-T1-E3

Beskrivning: MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SI4892DY-T1-GE3

SI4892DY-T1-GE3

Beskrivning: MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-SOIC

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SI4890DY-T1-E3

SI4890DY-T1-E3

Beskrivning: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SI4900DY-T1-E3

SI4900DY-T1-E3

Beskrivning: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SI4910DY-T1-GE3

SI4910DY-T1-GE3

Beskrivning: MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SI4910DY-T1-E3

SI4910DY-T1-E3

Beskrivning: MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SI4890BDY-T1-GE3

SI4890BDY-T1-GE3

Beskrivning: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SI4908DY-T1-GE3

SI4908DY-T1-GE3

Beskrivning: MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SI4904DY-T1-GE3

SI4904DY-T1-GE3

Beskrivning: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SI4906DY-T1-GE3

SI4906DY-T1-GE3

Beskrivning: MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SI4894BDY-T1-E3

SI4894BDY-T1-E3

Beskrivning: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SI4892DY-T1-E3

SI4892DY-T1-E3

Beskrivning: MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-SOIC

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SI4913DY-T1-E3

SI4913DY-T1-E3

Beskrivning: MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SI4904DY-T1-E3

SI4904DY-T1-E3

Beskrivning:

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SI4908DY-T1-E3

SI4908DY-T1-E3

Beskrivning: MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SI4894BDY-T1-GE3

SI4894BDY-T1-GE3

Beskrivning: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager

Review (1)

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta