Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Transistorer - FET, MOSFET - Single > SI4642DY-T1-E3
RFQs/beställning (0)
Svenska
105271

SI4642DY-T1-E3

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    SI4642DY-T1-E3
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    MOSFET N-CH 30V 34A 8-SOIC
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Leverantörs Device Package
    8-SO
  • Serier
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.75 mOhm @ 20A, 10V
  • Effektdissipation (Max)
    3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
  • Förpackning
    Original-Reel®
  • Förpackning / Fodral
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Andra namn
    SI4642DY-T1-E3DKR
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Monteringstyp
    Surface Mount
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
    5540pF @ 15V
  • Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs
    110nC @ 10V
  • FET-typ
    N-Channel
  • FET-funktionen
    -
  • Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På)
    4.5V, 10V
  • Avlopp till källspänning (Vdss)
    30V
  • detaljerad beskrivning
    N-Channel 30V 34A (Tc) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C
    34A (Tc)
SI4646DY-T1-E3

SI4646DY-T1-E3

Beskrivning: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SI4636DY-T1-GE3

SI4636DY-T1-GE3

Beskrivning: MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SI4650DY-T1-E3

SI4650DY-T1-E3

Beskrivning: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SI4646DY-T1-GE3

SI4646DY-T1-GE3

Beskrivning: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SI4668DY-T1-E3

SI4668DY-T1-E3

Beskrivning: MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SI4638DY-T1-E3

SI4638DY-T1-E3

Beskrivning: MOSFET N-CH 30V 22.4A 8SOIC

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SI4668DY-T1-GE3

SI4668DY-T1-GE3

Beskrivning: MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SI4634DY-T1-E3

SI4634DY-T1-E3

Beskrivning: MOSFET N-CH 30V 24.5A 8-SOIC

tillverkare: Vishay Siliconix
I lager
SI4654DY-T1-E3

SI4654DY-T1-E3

Beskrivning: MOSFET N-CH 25V 28.6A 8-SOIC

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SI4660DY-T1-GE3

SI4660DY-T1-GE3

Beskrivning: MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SI4634-A10-GM

SI4634-A10-GM

Beskrivning: IC ANLG/DGTL RADIO 48QFN

tillverkare: Energy Micro (Silicon Labs)
I lager
SI4660DY-T1-E3

SI4660DY-T1-E3

Beskrivning: MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SI4634DY-T1-GE3

SI4634DY-T1-GE3

Beskrivning:

tillverkare: Vishay Siliconix
I lager
SI4666DY-T1-GE3

SI4666DY-T1-GE3

Beskrivning: MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-SOIC

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SI4635-A10-GMR

SI4635-A10-GMR

Beskrivning: IC ANLG/DGTL RADIO 48QFN

tillverkare: Energy Micro (Silicon Labs)
I lager
SI4633-A10-GMR

SI4633-A10-GMR

Beskrivning: IC ANLG/DGTL RADIO 48QFN

tillverkare: Energy Micro (Silicon Labs)
I lager
SI4636DY-T1-E3

SI4636DY-T1-E3

Beskrivning: MOSFET N-CH 30V 17A 8SOIC

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SI4634-A10-GMR

SI4634-A10-GMR

Beskrivning: IC ANLG/DGTL RADIO 48QFN

tillverkare: Energy Micro (Silicon Labs)
I lager
SI4635-A10-GM

SI4635-A10-GM

Beskrivning: IC ANLG/DGTL RADIO 48QFN

tillverkare: Energy Micro (Silicon Labs)
I lager
SI4654DY-T1-GE3

SI4654DY-T1-GE3

Beskrivning: MOSFET N-CH 25V 28.6A 8-SOIC

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager

Review (1)

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta